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發布時間:2021-01-21 03:53  
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光刻工藝重要性二
光刻膠的曝光波長由寬譜紫外向g線→i線→KrF→ArF→EUV(13.5nm)的方向移動。隨著曝光波長的縮短,光刻膠所能達到的極限分辨率不斷提高,光刻得到的線路圖案精密度更佳,而對應的光刻膠的價格也更高。
光刻光路的設計,有利于進一步提升數值孔徑,隨著技術的發展,數值孔徑由0.35發展到大于1。相關技術的發展也對光刻膠及其配套產品的性能要求變得愈發嚴格。
工藝系數從0.8變到0.4,其數值與光刻膠的產品質量有關。結合雙掩膜和雙刻蝕等技術,現有光刻技術使得我們能夠用193nm的激光完成10nm工藝的光刻。
為了實現7nm、5nm制程,傳統光刻技術遇到瓶頸,EUV(13.5nm)光刻技術呼之欲出,臺積電、三星也在相關領域進行布局。EUV光刻光路基于反射設計,不同于上一代的折射,其所需光刻膠主要以無機光刻膠為主,如金屬氧化物光刻膠。
芯片光刻的流程詳解(二)
所謂光刻,根據維基百科的定義,這是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構,然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。NR9-3000PY相對于其他光刻膠具有如下優勢:-優異的分辨率性能-快速地顯影-可以通過調節曝光能量很容易地調節倒梯形側壁的角度-耐受溫度100℃-室溫儲存保質期長達3年。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓,還可以是其他金屬層、介質層,例如玻璃、SOS中的藍寶石。
光刻的基本原理是利用光致抗蝕劑(或稱光刻膠)感光后因光化學反應而形成耐蝕性的特點,將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。
NR9-3000PY
四、對準(Alignment)
光刻對準技術是曝光前一個重要步驟作為光刻的三大核心技術之一,一般要求對準精度為細線寬尺寸的 1/7---1/10。隨著光刻分辨力的提高 ,對準精度要求也越來越高 ,例如針對 45am線寬尺寸 ,對準精度要求在5am 左右。
受光刻分辨力提高的推動 ,對準技術也經歷 迅速而多樣的發展 。8刻蝕就是將涂膠前所墊基的薄膜中沒有被光刻膠覆蓋和保護的那部分進行腐蝕掉,達到將光刻膠上的圖形轉移到下層材料的目的。從對準原理上及標記結 構分類 ,對準技術從早期的投影光刻中的幾何成像對準方式 ,包括視頻圖像對準、雙目顯微鏡對準等,一直到后來的波帶片對準方式 、干涉強度對準 、激光外差干涉以及莫爾條紋對準方式 。從對準信號上分 ,主要包括標記的顯微圖像對準 、基于光強信息的對準和基于相位信息對準。
光刻膠
按感光樹脂的化學結構,光刻膠可分為光聚合型光刻膠、光分解型光刻膠和光交聯型光刻膠。在應用中,采用不同單體可以形成正、負圖案,并可在光刻過程中改變材料溶解性、抗蝕性等。
光聚合型光刻膠
烯類,在光作用下生成自由基,自由基再進一步引發單體聚合。
光分解型光刻膠
疊氮醌類化合物,經光照后,會發生光分解反應,由油溶性變為水溶性。
光交聯型光刻膠
聚乙烯醇月桂酸酯,在光的作用下,分子中的雙鍵打開,鏈與鏈之間發生交聯,形成一種不溶性的網狀結構從而起到抗蝕作用。
按曝光波長,光刻膠可分為紫外(300~450 nm)光刻膠、深紫外(160~280 nm)光刻膠、極紫外(EUV,13.5 nm)光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X 射線光刻膠等。
按應用領域,光刻膠可分為PCB 光刻膠、LCD 光刻膠、半導體光刻膠等。PCB 光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低,而半導體光刻膠代表著光刻膠技術的水平。





