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發布時間：2021-09-24 13:57
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光刻的工序
下面我們來詳細介紹一下光刻的工序：
一、清洗硅片（Wafer Clean）
清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少其它缺陷，提高光刻膠黏附性
基本步驟：化學清洗——漂洗——烘干。
自1970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學清洗工藝得到了廣泛應用，1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來以RCA清洗理論為基礎的各種清洗技術不斷被開發出來，例如：美國FSI公司推出離心噴淋式化學清洗技術、美國原CFM公司推出的Full-Flow systems封閉式溢流型清洗技術、美國VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學清洗技術（例Goldfinger Mach2清洗系統）、美國SSEC公司的雙面檫洗技術（例M3304 DSS清洗系統）、 日本提出無藥液的電介離子水清洗技術（用電介超純離子水清洗）使拋光片表面潔凈技術達到了新的水平、以HF / O3為基礎的硅片化學清洗技術。對準：指光刻板上與襯底的對版標記應準確對準，這樣一套光刻版各版之間的圖形才能彼此套準。
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五、曝光
在這一步中，將使用特定波長的光對覆蓋襯底的光刻膠進行選擇性地照射。光刻膠的主要技術指標有解析度、顯影時間、異物數量、附著力、阻抗等。光刻膠中的感光劑會發生光化學反應，從而使正光刻膠被照射區域（感光區域）、負光刻膠未被照射的區域（非感光區）化學成分發生變化。這些化學成分發生變化的區域，在下一步的能夠溶解于特定的顯影液中。
在接受光照后，正性光刻膠中的感光劑DQ會發生光化學反應，變為乙烯酮，并進一步水解為茚并羧酸（Indene-Carboxylic-Acid, CA），羧酸在堿性溶劑中的溶解度比未感光部分的光刻膠高出約100倍，產生的羧酸同時還會促進酚醛樹脂的溶解。5-1um，3,前烘，通過在較高溫度下進行烘焙，使存底表面涂覆的光刻膠膜的溶劑揮發，溶劑將至5%左右，同時增強與襯底的粘附性。利用感光與未感光光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度，就可以進行掩膜圖形的轉移。
曝光方法：
a、接觸式曝光（Contact Printing）掩膜板直接與光刻膠層接觸。
b、接近式曝光（Proximity Printing）掩膜板與光刻膠層的略微分開，大約為10～50μm。
c、投影式曝光（Projection Printing）。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現曝光。
d、步進式曝光(Stepper)
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光刻膠存儲條件及操作防護
光刻膠是一種可燃液體，儲存條件應符合對應的法規，不要與強氧化劑混合，存放在通風良好的地方，保持容器密閉，避免吸入蒸汽或霧氣，避免接觸眼睛、皮膚或衣服，操作后徹底清洗。
個人防護
眼睛：佩戴化學飛濺護目鏡。
皮膚：戴上適當的防護手套防止皮膚暴露。
服裝：穿戴合適的防護服防止皮膚暴露。
呼吸器：無論何時在工作環境下呼吸保護必須遵循中國職業安全健康管理局標準的規定和ANSI美國國家標準學會Z88.2的相關要求，或必須執行歐洲呼吸防護EN 149的標準。
