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              河北風(fēng)力發(fā)電用IGBT測(cè)試儀加工質(zhì)量材質(zhì)上乘 華科IGBT靜態(tài)參數(shù)

              發(fā)布時(shí)間:2020-07-16 05:48  

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              (2)主要技術(shù)參數(shù) 1)基本參數(shù) 功率源: 5000V 1200A 2)柵極-發(fā)射極漏電流IGES IGES: 0.1-10uA±2%±0.01uA 集電極電壓VCE: 0V 柵極電壓Vge: 0-40V±3%±0.1V 3)集電極-發(fā)射極電壓 集電極電壓VCES: 100-5000V±2%±10V 集電極電流ICES: 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓Vge: 0V 4)集電極-發(fā)射極飽和電壓VCESat VCESat:0.2-5V 柵極電壓Vge: ±15V±2%±0.2V 集電極電流ICE: 10-1200A±2%±1A 5)集電極-發(fā)射極截止電流ICES 集電極電壓VCE: 100-5000V±3% 集電極電流ICES: 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓VGE: 0V 6)柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGEth: 1-10V±2%±0.1V Vce: 12V 集電極電流ICE: 30mA±3% 7)二極管壓降測(cè)試 VF: 0-5V±2%±0.01V IF: 0-1200A±2%±1A Vge: 0V


              安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感

              ?電感量 1mH 、10mH、50mH、100mH

              ?電流 通過(guò)選擇不同檔位電感,滿足0~200A電流輸出需求(10ms)

              ?瞬態(tài)電壓 大于10kV

              ?負(fù)載電感 配備自動(dòng)切換開(kāi)關(guān),可分別接通不同電感值,由計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)接通;自動(dòng)切換開(kāi)關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。

              5)補(bǔ)充充電回路限流電感

              限制充電回路中的di/dt。

              ?電感量 100μH

              ?電流能力 6000A (5ms)

              ?瞬時(shí)耐壓 10kV

              ?工作溫度室溫~40℃

              ?工作濕度 <70%


              13)被測(cè)器件旁路開(kāi)關(guān) 被測(cè)安全接地開(kāi)關(guān),設(shè)備不運(yùn)行時(shí),被測(cè)接地。 ?電流能力 DC 50A ?隔離耐壓 15kV ?響應(yīng)時(shí)間 150ms ?工作方式 氣動(dòng)控制 ?工作氣壓 0.4MPa ?工作溫度 室溫~40℃ ?工作濕度 <70% 14)工控機(jī)及操作系統(tǒng) 用于控制及數(shù)據(jù)處理,采用定制化系統(tǒng),主要技術(shù)參數(shù)要求如下: ?機(jī)箱:4Μ 15槽上架式機(jī)箱; ?支持ATX母板;IGBT測(cè)試裝置技術(shù)要求 (1)設(shè)備功能 IGBT模塊檢測(cè)裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。 ?CPΜ:INTEL雙核; ?主板:研華SIMB; ?硬盤(pán):1TB;內(nèi)存4G; ?3個(gè)5.25”和1個(gè)3.5”外部驅(qū)動(dòng)器; ?集成VGA顯示接口、4個(gè)PCI接口、6個(gè)串口、6個(gè)ΜSB接口等。 ?西門(mén)子PLC邏輯控制