磁控濺射鍍膜機報價品牌企業【沈陽鵬程】

磁控方箱生產線介紹

用于納米級單層及多層功能膜、硬質膜、金屬膜、半導體膜、介質膜等新型薄膜材料的制備。廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。　　

主要由真空室系統濺射室、靶及電源系統、樣品臺系統、真空抽氣及測量系統、氣路系統、電控系統、計算機控制系統及輔助系統等組成。　

技術指標：　　極限真空度6.7×10-5Pa，系統漏率：1×10-7PaL/S；　　恢復真空時間：40分鐘可達6.6×10 Pa（短時間暴露　　大氣并充干燥氮氣后開始抽氣）　　

鍍膜方式：磁控靶為直靶，向下濺射成膜；　　樣品基片: 負偏壓 -200V　　

樣品轉盤：在基片傳輸線上連續可調可控，在真空下可輪流任意靶位互換工作。樣品轉盤由伺服電機驅動，計算機控制其水平傳遞；　　

可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統，計算機控制系統的功能：對位移和樣品公轉速度隨時間的變化做實時采集，對位移誤差進行計算，以曲線和數值顯示。樣品公轉速度對位移曲線可在線性和對數標度兩種顯示之間切換，可實現換位定點鍍膜。

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線列式磁控生產線

沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業生產、銷售磁控濺射產品，我們為您分析該產品的以下信息。

采用先進的in-line產線結構，Twin-Mag孿生陰極磁控濺射技術，并配以全自動控制系統、先進的真空系統，可在玻璃襯底上鍍制SiO2、ITO、AZO、Al、Ni、Ti等各類絕緣介質薄膜、金屬或合金薄膜，并可連續濺鍍多種不同材質的薄膜構成復合多膜層結構，適合大規模光學、電學薄膜的生產，做到一機多用具有高能效、高可靠性、低成本的優勢。設備組成系統主要由濺射真空室、永磁磁控濺射靶（2個靶）、單基片加熱臺、直流電源、射頻電源、工作氣路、抽氣系統、真空測量、電控系統及安裝機臺等部分組成。

     本產品可廣泛應用于觸摸屏ITO鍍膜、LCD顯示屏ITO鍍膜、薄膜太陽能電池背電極及AZO鍍膜、彩色濾光片鍍膜、電磁屏蔽玻璃鍍膜、AR鍍膜、裝飾鍍膜等產業領域。

磁控濺射的種類介紹

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應用對象。但有一共同點：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氣產生離子的概率。所產生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源鍍膜均勻，非平衡式靶源鍍膜膜層和基體結合力強。平衡靶源多用于半導體光學膜，非平衡多用于磨損裝飾膜。特別是透明導電玻璃廣泛應用于平板顯示器件、太陽能電池、微波與射頻屏蔽裝置與器件、傳感器等。磁控陰極按照磁場位形分布不同，大致可分為平衡態磁控陰極和非平衡態磁控陰極。平衡態磁控陰極內外磁鋼的磁通量大致相等，兩極磁力線閉合于靶面，很好地將電子/等離子體約束在靶面附近，增加了碰撞幾率，提高了離化效率，因而在較低的工作氣壓和電壓下就能起輝并維持輝光放電，靶材利用率相對較高。

但由于電子沿磁力線運動主要閉合于靶面，基片區域所受離子轟擊較小。非平衡磁控濺射技術，即讓磁控陰極外磁極磁通大于內磁極，兩極磁力線在靶面不完全閉合，部分磁力線可沿靶的邊緣延伸到基片區域，從而部分電子可以沿著磁力線擴展到基片，增加基片磁控濺射區域的等離子體密度和氣體電離率。不管平衡還是非平衡，若磁鐵靜止，其磁場特性決定了一般靶材利用率小于30%。同時，經過多次碰撞而喪失能量的電子到達陽極時，已變成低能電子，從而不會使基片過熱。為增大靶材利用率，可采用旋轉磁場。但旋轉磁場需要旋轉機構，同時濺射速率要減小。旋轉磁場多用于大型或貴重靶，如半導體膜濺射。對于小型設備和一般工業設備，多用磁場靜止靶源。

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