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發(fā)布時間：2021-01-04 20:50
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設計要點
回填土的土質(zhì)應對電纜外護層無腐蝕性。
施工要點
直埋電纜的上、下部應鋪以不小于100mm厚的軟土（不應有石塊或其它硬質(zhì)雜物）或沙層，并加蓋保護板，其覆蓋寬度應超過電纜兩側各50mm。
為了防止電纜遭受外力破壞，在電纜保護蓋板上鋪設塑料警示帶。
直埋電纜在直線段每隔50－100m處、電纜接頭處、轉彎處、進入建筑物等處，應設置明顯的方位標志或標樁。
監(jiān)理要點
直埋電纜回填土前，應經(jīng)隱蔽工程驗收合格。并分層夯實。
巡視檢查回填土質(zhì)量，不得摻大石塊、凍土塊、冰雪回填。直埋電纜的上、下部應鋪以不小于100mm厚的軟土或沙層，并加蓋保護板，其覆蓋寬度應超過電纜兩側各 50mm，保護板可采用混凝土蓋板或磚塊。
巡視檢查回填土應分層回填、分層夯實，夯實應均布坑口全部面積，夯實密度符合設計和規(guī)范要求。
巡視檢查直埋電纜在直線段每隔 50m～100m處、電纜接頭處、轉彎處、進入建筑物等處，應設置明顯的方位標志或標樁。
回填土前圖
電纜排管敷設工程
2.1 電纜穿管敷設
工藝標準
交流單芯電纜應采用非磁性材料并符合環(huán)保要求。
排管通道所選用的排管內(nèi)徑D（mm）宜不小于1.5d（電纜外徑，mm）并不易小于150mm。同一段排管通道的排管內(nèi)徑不易多于兩種。
電纜敷設時，電纜所受的牽引力、側壓力和彎曲半徑應根據(jù)不同電纜的要求控制在允許范圍內(nèi)。
在電纜牽引頭、電纜盤、牽引機、過路管口、轉彎處以及可能造成電纜損傷的地方應采取保護措施。
110kV及以上電纜敷設時，轉彎處的側壓力應符合制造廠規(guī)定，無規(guī)定時不應大于3kN/m。
導體屏蔽與絕緣屏蔽應采用超光滑可交聯(lián)型半導電材料，并符合CSBTS/TC213-01中表3的規(guī)定。
a.導體屏蔽應由半導電包帶和擠出半導電層組成；
擠出半導電層應均勻地包覆在半導電包帶外，并牢固地粘在絕緣層上。在與絕緣層的交界面上應光滑，無明顯絞線凸絞、尖角、顆粒、燒焦或擦傷痕跡。
b.絕緣屏蔽為擠出半導電層。絕緣屏蔽應均勻地包覆在絕緣表面。在絕緣屏蔽的表面以及與絕緣層的交界面上應光滑，無尖角、顆粒、燒焦或擦傷痕跡。 5.4 絕緣
絕緣材料應采用超凈化交聯(lián)聚乙烯料，并符合CSBTS/TC213-01中表3的規(guī)定。ρ20——導體在溫度為20℃時的電阻率，對于標準軟銅ρ20=0。 絕緣層的標稱厚度應符合CSBTS/TC213-01中表5的規(guī)定。 a.絕緣蕞薄點厚度應不小于標稱厚度的90%，tmin≥0.09tn. b.絕緣偏心度不大于8%，即：
?0max
min
max???ttt
tn-絕緣層的標稱厚度；tmax和tmin分別為蕞大、蕞小絕緣厚度。
（注：蕞大絕緣厚度和蕞小絕緣厚度為同一截面上的測量值。導體屏蔽和絕緣屏蔽的厚度應不計入絕緣厚度之內(nèi)。）
c.絕緣平料含有雜質(zhì)和電纜絕緣層含有雜質(zhì)、微孔以及半導電層與絕緣界面突起與微孔的限制應參照CSBTS/TC 213-01的規(guī)定。
d.絕緣完成后應進行去氣。 5.5 金屬屏蔽與金屬套
可用銅絲編織帶、銅帶或金屬套屏蔽。 金屬套可選用鉛套、波紋鋁套等。
a. 鉛套用鉛銻銅合金成分應符合JB5268.2的規(guī)定，應含0.4%～0.8%的銻和0.02%～0.06%的銅，可采用性能相同或更好的其它鉛合金。
b. 波紋鋁套應參照CSDTS/TC 213-01的規(guī)定，所用鋁的純度應不低于99.6%。
c. 鉛套和波紋鋁套的標稱厚度應參照CSBTS/TC213-01表6的規(guī)定。如該厚度不能滿足短路容量的要求，則應采用增加金屬套的厚度或在金屬套下面增加疏繞銅絲，并在疏繞銅絲外用反向繞包的銅絲或銅帶扎緊等措施。
