肖特基二極管型號優選企業【強元芯電子】

編輯：DD

肖特基二極管是以其發明人華特?肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管。

從誕生之初，肖特基二極管就注定了其不平凡的一生，從低頻到高頻，從高損耗到低損耗，肖特基二極管在其發展上走出了一步一步的不平凡！ASEMI在21世紀延續了這個不平凡，將高頻率低耗損環保節能的產品引入并發展！

肖特基(Schottky)二極管也稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD)，它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。

ASEMI為您專業提供肖特基二極管參數選型測試，以上為ASEMI外觀包裝樣式。產品一般為管裝，激光打標，采用環保進口牛皮紙材料紙箱，品質優越

為解決SBD在高溫下易產生由金屬-半導體的整流接觸變為歐姆接觸而失去導電性這一肖特基勢壘的退化問題，ASEMI通過退火處理，形成金屬-金屬硅化物-硅勢壘，從而提高了肖特基勢壘的高溫性能與可靠性。

ASEMI生產的肖特基二極管全部采用俄羅斯米克朗大芯片，產品系列通過歐盟rosh以及美國ul認證，銷售覆蓋全球。

ASEMI整流肖特基二極管快資訊！

SiC高壓SBD

由于Si和GaAs的勢壘高度和臨界電場比寬帶半導體材料低，用其制作的SBD擊穿電壓較低，反向漏電流較大。碳化硅(SiC)材料的禁帶寬度大(2.2eV~3.2eV)，臨界擊穿電場高(2V/cm~4×106V/cm)，飽合速度快(2×107cm/s)，熱導率高為4.9W/(cm·K)，抗化學腐蝕性強，硬度大，材料制備和制作工藝也比較成熟，是制作高耐壓、低正向壓降和高開關速度SBD的比較理想的新型材料。