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              發布時間:2020-07-30 12:36  

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              視頻作者:蘇州振鑫焱光伏科技有限公司






              國際性鋰電池回收現行政策

              振鑫焱光伏科技有限責任公司長期購置:天價回收硅片,電池片,初中級多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽電池,太陽能組件,太陽能光伏板,顧客撤離,退級,庫存量,El,欠佳檢測,2手,舊,工程項目,拆裝,道路路燈,拆卸發電廠,拆裝,人造板,層壓板,無界限結晶硅,多晶硅,單晶硅,試驗板,負債還款,返修,太陽能發電控制模塊收購等。

              國際性鋰電池回收現行政策 

              1991年歐洲共同體施行實施充電電池命令(91/157/EEC),并隨之充電電池產業鏈的迅速發展趨勢和環境保護規定的不斷提升,前后左右2次修定并各自頒布了充電電池命令(93/86/EEC)和(98/101/EEC)。2006年歐洲共同體公布鋰電池回收新命令(2006/66/EC),要求其理事國鋰電池回收再運用總體目標在2016年9月26日以前充電電池綜合性利用率超過45%,工業生產充電電池保持100%收購;后于2008年填補公布了廢料架構命令(2008/98/EC),對廢舊電池類型深化細分化,確立鋰電池回收等級。  

              1993年日本國修定《節能法》并一起施行《再生能源法》合理布局鋰電池回收;于2000年政府部門實施“3R”方案(recycling/reuse/reduce),明確規定創建充電電池“循環系統-再運用”收購系統軟件。1991年和1994年英國陸續創立手持式充電鋰電池研究會(PRBA)充電電池和充電鋰電池回收商(PBRC),并制訂生態環境保護規范輔助鋰電池回收。







              電池片的制作工藝

              外擴散種類 

              1.穩定源外擴散:在穩態外擴散的標準下,企業時間內根據垂直平分外擴散方位的企業總面積的外擴散品質與該橫截面處的濃度梯度正比。 

              2.限制源外擴散:在再遍布全過程中,外擴散是在限制源的標準下進有的,全部外擴散全過程的殘渣源,限制于外擴散前積淀在硅片表層的無限薄層內的殘渣總產量,沒有外地人殘渣填補即在硅片表層處的殘渣流相對密度。 

              生產車間應用的是二步外擴散:預淀積外擴散。預擴散是穩定源外擴散,關鍵是促使硅片表層汽體濃度值相同,維持整批方塊電阻是勻稱性。主外擴散是限制源外擴散,而且在主外擴散后進入大氮汽體,做為推動汽體,增加PN結深度。



              振鑫焱光伏科技有限公司常年采購:高價回收硅片,電池片,初級多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽能電池,光伏組件,太陽能電池板,客戶撤退,降級,庫存,El,不良測試,二手,舊,工程,拆卸,路燈,拆解電站,拆卸,膠合板,層壓板,無邊界晶體硅,多晶硅,單晶硅,實驗板,債務償還,返工,光伏模塊回收等。


              PECVD

              PE 目的

              在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜,以增加入射在硅片上的光的透射,減少反射,氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。

              其化學反應可以簡單寫成 : SiH 4 NH 3 =SiN:H 3H 2 。

              基本 原理

              PECVD 技術原理是利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上,利用輝光放電(或另加發熱體)使樣品升溫到預定的溫度,然后通入適量的反應氣體,氣體經一系列化學反應和等離子體反應,在樣品表面形成固態薄膜。 PECVD 方法區別于其它 CVD 方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子,它們可以提供化學氣相沉積過程所需的激活能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發和電離過程,生成活性很高的各種化學基團,因而顯著降低 CVD 薄膜沉積的溫度范圍,使得原來需要在高溫下才能進行的 CVD 過程得以在低溫下實現。  

              基本特征

              1. 薄膜沉積工藝的低溫化( < 450 ℃ )。

              2. 節省能源,降低成本。

              3. 提高產能。

              4. 減少了高溫導致的硅片中少子壽命衰減。

              擴散方式

              PE 設備有兩類:平板式和管式。

              按反應方式分為:直接式(島津)和間接式( Roth & Rau  )。

              直接式:基片位于一個電極上,直接接觸等離子體。  

              間接式:基片不接觸激發電極。 在微波激發等離子的設備里,等離子產生在反應腔之外,然后由石英管導入反應腔中。在這種設備里微波只激發 NH3 ,而 SiH4 直接進入反應腔。間接 PECVD 的沉積速率比直接的要高很多,這對大規模生產尤其重要。





              電池片絲網印刷技術

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              電池片絲網印刷技術


              印刷厚度:絲網和感光膜的厚度決定印刷后圖形的厚度即線條的厚度,如圖 10 所示,在一般情況下,絲網目數越低,絲經越粗,印刷后的漿料層就越高,所用絲網目數較高時,印刷后漿料層就低一些。感光膜的厚度與絲網目數和線條的寬度有關:目數越高,絲徑越細,感光膜與絲網的接觸面積越小,二者的附著力減小,

              果印刷線條變窄,增加感光膜的厚度易造成脫落,所以感光膜較薄,感光膜的厚度約為絲網厚度的 15 %~ 25 %;對于背鋁和背銀工序,選取250 目絲網,其厚度為 58um,感光膜厚度為 10 ~ 15um ,則印后厚度為 68 ~ 73μm ,這里計算出來的厚度時漿料的濕厚度( wetthickness ).需經過烘干( dry )和燒結( fire )才是終厚度(干厚度),干厚度是濕厚度的 30% ~ 40% ;對于正銀工序,選取 330 目絲網,其厚度為 44um ,感光膜厚度為 5 ~ 10μm ,則印后濕厚度約為 49 ~ 54μm 。  

              選擇絲網絲徑及目數時,要求網格的孔長為漿料粉體粒徑的 2.5 ~ 5 倍;目數越低絲網越稀疏,網孔越大,油墨通過性就越好;網孔越小,油墨通過性越差,如圖 9 所示。  

              網框 :網框大多采用硬鋁及鋁合金以承受繃網所產生的力,連接絲網的底面需要較高的平面度,約為 0.04mm × 150mm × 150mm ; 網框規格一般為承印物的 2 倍:以 150mm 電池片為例,承印物面積為

              150mm × 150mm ,網框內口的面積應為300mm × 300mm  。  








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