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化學氣相沉積過程介紹

化學氣相沉積過程分為三個重要階段：反應氣體向基體表面擴散、反應氣體吸附于基體表面、在基體表面上發(fā)生化學反應形成固態(tài)沉積物及產(chǎn)生的氣相副產(chǎn)物脫離基體表面。2）可以在常壓或者真空條件下(負壓“進行沉積、通常真空沉積膜層質(zhì)量較好）。常見的化學氣相沉積反應有:熱分解反應、化學合成反應和化學傳輸反應等。通常沉積TiC或TiN，是向850~1100℃的反應室通入TiCl4，H2，CH4等氣體，經(jīng)化學反應，在基體表面形成覆層。

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化學氣相沉積的分類

化學氣相沉積的方法很多，如常壓化學氣相沉積(Atmospheric pressure CVD，APCVD)、低壓化學氣相沉積(Low pressure CVD，LPCVD)、超高真空化學氣相沉積(Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD)、激光化學氣相沉積(Laser CVD，LCVD)、金屬有機物化學氣相沉積(metal-organic CVD，MOCVD)，等離子體增強化學氣相沉積（Plasma enhanced CVD，PECVD）等。5μm/minSi：≥1μm/min光刻膠：≥1μm/min13。

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化學氣相沉積的特點有哪些？

?  高溫石英管反應器設計

?  溫度范圍：室溫到1100度

?  多路氣體準確控制

?  標準氣壓計

?  易于操作

?  可配機械泵實現(xiàn)低壓TCVD

?  可用于制備金屬氧化物、氮化物、碳化物、金屬薄膜

?  液體前驅(qū)體噴頭

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司本著多年化學氣相沉積行業(yè)經(jīng)驗，專注化學氣相沉積研發(fā)定制與生產(chǎn)，先進的化學氣相沉積生產(chǎn)設備和技術(shù)，建立了嚴格的產(chǎn)品生產(chǎn)體系，想要更多的了解，歡迎咨詢圖片上的熱線電話！！！

等離子體化學氣相沉積原理及特點

原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，基體浸沒在等離子體中或放置在等離子體下方，吸附在基體表面的反應粒子受高能電子轟擊，結(jié)合鍵斷裂成為活性粒子，化學反應生成固態(tài)膜。沉積時，基體可加熱，亦可不加熱。工藝過程包括氣體放電、等離子體輸運，氣態(tài)物質(zhì)激發(fā)及化學反應等。主要工藝參數(shù)有：放電功率、基體溫度、反應壓力及源氣體成分。光學發(fā)射:光學發(fā)射光譜法（OES）是使用較為廣泛的終點檢測手段。主要特點是可顯著降低反應溫度，已用于多種薄膜材料的制備。

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