NR9 8000光刻膠廠家按需定制「賽米萊德」

發布時間：2021-10-06 21:34

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芯片光刻的流程詳解（一）

在集成電路的制造過程中，有一個重要的環節——光刻，正因為有了它，我們才能在微小的芯片上實現功能。現代刻劃技術可以追溯到190年以前，1822年法國人Nicephore niepce在各種材料光照實驗以后，開始試圖復一種刻蝕在油紙上的印痕（圖案)，他將油紙放在一塊玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的瀝青。經過2、3小時的日曬，透光部分的瀝青明顯變硬，而不透光部分瀝青依然軟并可被松香和植物油的混合液洗掉。同種厚度的正負膠，在對于抗濕法和腐蝕性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。通過用強酸刻蝕玻璃板，Niepce在1827年制作了一個d’Amboise主教的雕板相的產品。

Niepce的發明100多年后，即第二次大戰期間才應用于制作印刷電路板，即在塑料板上制作銅線路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶體管，當時分辨率5um，如今除可見光光刻之外，更出現了X-ray和荷電粒子刻劃等更高分辨率方法。四、對準（Alignment）光刻對準技術是曝光前一個重要步驟作為光刻的三大核心技術之一，一般要求對準精度為最細線寬尺寸的1/7---1/10。

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2,涂膠，在硅片覆蓋，旋轉，離心力，在硅片表面通過旋轉的光刻膠，工藝參數3000-6000rpm 膠膜厚0.5-1um，

3,前烘，通過在較高溫度下進行烘焙，使存底表面涂覆的光刻膠膜的溶劑揮發，溶劑將至5%左右，同時增強與襯底的粘附性。前烘方法：熱平板傳導，干燥循環熱風提高附著力，紅外線輻射。

烘箱前烘條件：90-100度，10-20min，前烘時間與溫度應適當，如太長或溫度太高，光刻膠層變脆而附著力下降，而前烘不足會影響后面的顯影效果。

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9，去膠:濕法去膠，用溶劑、用NONG硫酸。光刻膠的主要技術指標有解析度、顯影時間、異物數量、附著力、阻抗等。負膠，98%H2SO4 H2O2 膠=CO CO2 H2O,正膠：BIN酮,干法去膠（ash）氧氣加熱去膠O2 膠=CO CO2 H2O,等離子去膠Oxygenplasma ashing,高頻電場O2---電離O- O , O 活性基與膠反應CO2，CO， H2O, 光刻檢驗