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發布時間:2021-10-24 02:57  
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四氟化碳的密度比較高,可以填滿地面空間范圍,在不通風的地方會導致窒息。四氟化碳成品應存放在陰涼,干燥,通風的庫房內,嚴禁曝曬,遠離熱源。四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源,用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微電子工業中用量大的等離子蝕刻氣體,其高純氣及四氟化碳高純氣配高純氧氣的混合體,可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢薄膜材料的蝕刻。
四氟化碳在900℃時,不與銅、鎳、鎢、鉬反應,僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時,會分解產生有毒氟化物。以活性炭與氟為原料經氟化反應制備。在裝有活性炭的反應爐中,緩緩通入高濃氟氣,并通過加熱器加熱、供氟速率和反應爐冷卻控制反應溫度。反應放熱后,氟開始和碳化硅進行反應,通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣,使反應繼續進行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。
是微電子工業中用量大的等離子蝕刻氣體,高純氣高純氧的混合氣,可廣泛應用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻,在電子器件表面清洗、太陽能電池生產、激光技術、低溫制冷、泄漏檢驗、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。溫室氣體,其造成溫室效應的作用是二氧化碳的數千倍。氟代烴的低層大氣中比較穩定,而在上層大氣中可被能量更大的紫外線分解。在全球范圍內,高純度四氟化碳應用于歐洲、亞太地區、北美、中東、非洲和南美洲等地區,受電子產業發展程度不同影響,對于高純度四氟化碳的需求也不同,亞洲地區由于電子產業發展落后,近幾年電子電器行業處于快速發展狀態,因此使得該地區的高純度四氟化碳消費量持續攀升。
