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濕法刻蝕

濕法刻蝕是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。其特點是：濕法刻蝕在半導體工藝中有著廣泛應用：磨片、拋光、清洗、腐蝕優點是選擇性好、重復性好、生產、設備簡單、成本低。

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離子束刻蝕機的工作原理

通入工作氣體ya氣，氣壓10-2- 10-Torr之間，陰極放1射出的電子向陽極運動，在運動過程中，電子將工作氣體分子電離，在樣品室內產生輝光放電形成等離子體。其中電子在損失能量后到達陽極形成陽極電流，而ya離子由多孔柵極引出，在速系統作用下，形成一個大面積的、束流密度均勻的離子束。為減少束中空間電荷靜電斥力的影響，減少正離子轟擊基片時，造成正電荷堆積，離子束離開加速電極后，被中和器發出的電子中和，使正離子束變成中性束，打到基片上，進行刻蝕。

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離子束刻蝕機的特點

刻蝕過程是純物理濺射，可以刻蝕任何固體材料;平行離子束刻蝕，高各向異性;無鉆蝕;精度高，分辨率<0.01um.

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離子束刻蝕

離子束刻蝕是利用具有一定能量的離子轟擊材料表面，使材料原子發生濺射，從而達到刻蝕目的.把Ar、Kr或Xe之類惰性氣體充入離子源放電室并使其電離形成等離子體，然后由柵極將離子呈束狀引出并加速，具有一定能量的離子束進入工作室，射向固體表面撞擊固體表面原子，使材料原子發生濺射，達到刻蝕目的，屬純物理過程。