<em id="b06jl"></em>
      <tfoot id="b06jl"></tfoot>
      <tt id="b06jl"></tt>

        1. <style id="b06jl"></style>

              狠狠干奇米,国产igao,亚卅AV,污污内射在线观看一区二区少妇,丝袜美腿亚洲综合,日日撸日日干,91色鬼,夜夜国自一区
              您好,歡迎來到易龍商務網!

              臺州磁控濺射鍍膜機優惠報價「在線咨詢」

              發布時間:2021-01-11 14:54  

              【廣告】










              真空鍍膜機的全新發展真空泵與隔膜泵機械密封的安裝與使用


              真空鍍膜機的發展相當迅速,隨著生產率的提高,生產費用大大降低,已經為真空鍍膜產品的普遍使用鋪平了道路。

              以卷繞式真空鍍膜機為例,剛開發時可鍍的薄膜基材寬度是150mm,目前已達2253mm。基材卷筒的大卷徑是1000mm,大卷繞速度750m/min。自動裝卸的半連續卷繞式真空鍍膜機鍍膜時間占整個周期的75%,輔助操作時間只占25%。隨著計測技術、控制技術的進步和電子計算機的應用,卷繞式真空鍍膜機正向著高度自動化和高度可靠性的方向發展。

              真空鍍膜機真空鍍膜機能夠沉積的鍍膜層厚度范圍為0.01-0.2,可以在這個范圍內選擇,有的還可以鍍多層膜,滿足多種需要。日本專利提出沉積兩種不同鍍膜材料的卷繞式蒸鍍裝置。該裝置的真空室分為上室,左下室和右下室。蒸鍍時,兩組蒸發源蒸發的鍍膜材料分別沉積在塑料薄膜上,在塑料薄膜沒有蒸鍍的一側,裝上輝光放電發生器。發生器產生的輝光放電氣體能防止塑料薄膜起皺。使用這套裝置可以在極薄的塑料薄膜上鍍上無折皺的多層膜,用于制磁帶和薄膜太陽能電池等。



              真空鍍膜機中電磁控制的發展


              真空鍍膜機在現在對產品的表面處理上具有的優勢還是比較明顯的,這種鍍膜機械比起其他的表面處理設備來說,在加工方面,本身是需要在真空的環境中進行的,這樣的鍍膜方式就把外界的一些影響因素給“屏蔽”了,這是這種真空鍍膜機的一個優勢之處。

              而對于真空鍍膜機械來說,目前的電路的發展也十分迅速,很多電子化的產品也被運用到電路當中,也使得這些機械逐漸發展成為了電動化、自動化的設備。

              其中濺控濺射鍍膜機就是比較好的一類代表,作為一種裝置來說,它也是體現出真空鍍膜技術先進手段的代表,利用磁力進行控制,通電產生的電磁效用等都對鍍膜技術進行輔助。

              可以說是目前表面處理技術中值得關注的一類,而電磁控制的鍍膜機械的產生對現在的鍍膜設備來說,提高了鍍膜時候膜層的粒子量,這是這種鍍膜機械的主要運用了。



              真空鍍膜機和蒸發真空鍍膜機的差異


              真空鍍膜機是在中間設置真空室,在真空室的左右兩側設置左右大門,而在其中配裝蒸發裝置和磁控裝置,可在該雙門上預留該兩裝置的接口,以備需要時換裝。真空鍍膜機一般都是由真空系統、蒸發系統、薄膜卷繞系統、冷卻系統、控制系統等主要部分組成。

              當薄膜運行速度達到一定數值后,打開擋板使氣態鋁微粒在移動的薄膜基材表面沉積、冷卻即形成一層連續而光亮的金屬鋁層。

              通過控制金屬鋁的蒸發速度、基材薄膜的移動速度等來控制鍍鋁層的厚度,一般鍍鋁層厚度在250~500。而蒸發真空鍍膜機是專業在塑料表面進行蒸發鍍鋁、鉻、一氧化硅的專用設備,鍍出的膜層牢固且細密,是工業化生產的理想設備,其特點是它的環保性,真空鍍膜設備屬于無三廢、無污染的清潔生產設備,無須環保部門審批。分為立式和臥式。

              蒸發真空鍍膜設備成膜速率快,膜層牢固,色澤鮮亮,膜層不易受污染,可獲得致密性好、純度高、膜厚均勻的膜層,不產生廢液、廢水,可避免對環境的污染,是大規模生產的理想設備。離子真空鍍膜機是當今世界上用于表面涂裝PVD膜層的先進專用設備,運用PLC及觸摸屏實現自動化邏輯程序控制操作,設備結構合理、外觀優雅、性能穩定、操作達到人機對話,簡便。



              真空鍍膜機濺鍍的原理


              以幾十電子伏特或更高動能的荷電粒子炮擊資料外表,使其濺射出進入氣相,可用來刻蝕和鍍膜。入射一個離子所濺射出的原子個數稱為濺射產額(Yield)產額越高濺射速度越快,以Cu,Au,Ag等高,Ti,Mo,Ta,W等低。一般在0.1-10原子/離子。離子能夠直流輝光放電(glowdischarge)發生,在10-1—10Pa真空度,在兩極間加高壓發生放電,正離子會炮擊負電之靶材而濺射也靶材,而鍍至被鍍物上。

              正常輝光放電(glowdischarge)的電流密度與陰極物質與形狀、氣體品種壓力等有關。濺鍍時應盡也許保持其安穩。任何資料皆可濺射鍍膜,即便高熔點資料也簡單濺鍍,但對非導體靶材須以射頻(RF)或脈沖(pulse)濺射;且因導電性較差,濺鍍功率及速度較低。金屬濺鍍功率可達10W/cm2,非金屬<5W/cm2


              二極濺鍍射:靶材為陰極,被鍍工件及工件架為陽極,氣體(Ar氣Ar)壓力約幾Pa或更高方可得較高鍍率。

              磁控濺射:在陰極靶外表構成一正交電磁場,在此區電子密度高,進而進步離子密度,使得濺鍍率進步(一個數量級),濺射速度可達0.1—1um/min膜層附著力較蒸鍍佳,是現在有用的鍍膜技能之一。