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發布時間:2020-10-18 17:04  
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測量示例:
SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚測量
半導體晶體管通過控制電流的導通狀態來發送信號,但是為了防止電流泄漏和另一個晶體管的電流流過任意路徑,有必要隔離晶體管,埋入絕緣膜。 SiO 2(二氧化硅)或SiN(氮化硅)可用于絕緣膜。 SiO 2用作絕緣膜,而SiN用作具有比SiO 2更高的介電常數的絕緣膜,或是作為通過CMP去除SiO 2的不必要的阻擋層。之后SiN也被去除。 為了絕緣膜的性能和精準的工藝控制,有必要測量這些膜厚度。


使用顯微光譜法在微小區域內通過絕i對反射率進行測量,可進行高i精度膜厚度/光學常數分析。
可通過非破壞性和非接觸方式測量涂膜的厚度,例如各種膜、晶片、光學材料和多層膜。 測量時間上,能達到1秒/點的高速測量,并且搭載了即使是初次使用的用戶,也可容易出分析光學常數的軟件
為了確保膜厚儀的安全操作,必須注意以下幾點: ·始終按照操作手冊的要求操作膜厚儀; ·不要損壞安全互鎖系統的任何元件,例如微動開關等等; ·不要對膜厚儀做任何改變。
考慮到表面粗糙度測量的膜厚值[FE-0007]
當樣品表面存在粗糙度(粗糙度)時,將表面粗糙度和空氣(air)及膜厚材料以1:1的比例混合,模擬為“粗糙層”,可以分析粗糙度和膜厚度。此處示例了測量表面粗糙度為幾nm的SiN(氮化硅)的情況。