RR5光刻膠公司源頭好貨「賽米萊德」

PR1-2000A1RR5光刻膠公司

4,曝光

前烘好的存底放在光刻膠襯底放在光刻機上，經與光刻版對準后，進行曝光，接受光照的光刻膠發生化學變化，形成潛影，

光源與光刻膠相匹配，也就是光源波長在光刻膠的敏感波段；

對準：指光刻板上與襯底的對版標記應準確對準，這樣一套光刻版各版之間的圖形才能彼此套準。

曝光時間，由光源強度，光刻膠種類，厚度等決定，

另外，為降低駐波效應影響，可在曝光后需進行烘焙，稱為光后烘焙（PEB）

NR77-5000PY

PR1-2000A1 試驗操作流程

PR1-2000A1的厚度范圍可以做到 1500到3500nm，如下以膜厚2900nm為列；

1,靜態滴膠后以1300轉/分速度持續40秒。同時必須需要在1秒內達到從0轉/分到1300轉/分的升速度；

2，前烘：熱板120度120秒；

3，冷卻至室溫；

4，用波長為365,406,436的波長曝光，

5，在溫度為20-25度，使用RD6浸泡式、噴霧、顯影 ；

6，去除光刻膠，可使用CH3COCH3，RR5,RR41等。

光刻膠

光刻膠由光引發劑、樹脂、溶劑等基礎組分組成，又被稱為光致抗蝕劑，這是一種對光非常敏感的化合物。此外，光刻膠中還會添加光增感劑、光致產酸劑等成分來達到提高光引發效率、優化線路圖形精密度的目的。為了提高曝光系統分辨率的性能，Futurrex的光刻膠正在研究在曝光光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術。在受到紫外光曝光后，它在顯影液中的溶解度會發生變化。

分類

根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類。

正膠

曝光前對顯影液不可溶，而曝光后變成了可溶的，能得到與掩模板遮光區相同的圖形。

優點：分辨率高、對比度好。

缺點：粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。

靈敏度：曝光區域光刻膠完全溶解時所需的能量

負膠egative






Photo Resist）

與正膠反之。

優點： 良好的粘附能力和抗刻蝕能力、感光速度快。

缺點： 顯影時發生變形和膨脹，導致其分辨率。

靈敏度：保留曝光區域光刻膠原始厚度的50%所需的能量。