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發布時間:2020-12-21 19:43  
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高純石墨一般指含碳量在99.99%以上的石墨,在組織結構上可分為粗顆粒結構、細顆粒結構和超細顆粒結構三類,高純石墨大量用于直拉單晶硅爐中。集成電路的基礎材料主要是硅單晶芯片,目前硅單晶的成長工藝主要采用直拉法,其他方法還有磁場直拉法、區域法以及雙坩堝拉晶法,直拉單晶硅爐中的石墨件是消耗品,采用高純石墨材料加工成直拉單晶硅爐的加熱系統。
對慢中子的吸收量小、高溫強度好、抗熱震性高、對快中子的減速性能好、在輻照下尺寸穩定、雜質含量很少。
核石墨必需有較高的體積密度,因為石墨對快中子的減速作用是依靠快中子對碳原子的碰撞作用而實現的,單位體積內碳原子越多,減速的效果越好,所以體積密度是核石墨的主要指標之一,體積密度也與石墨的氣孔率和滲透率直接有關,為了避免核的燃料及載熱體的損失,要將氣孔率及滲透率降低到一定水平。
即垂直于壓力面的方向與水平于壓力面的方向性能不同,人們稱其為“各向異性”。在許多使用的場合,不需要石墨的“各向異性”,而需要它的“各向同性”。等靜壓成型改物料的單方向(或雙方向)受壓為多方向(整體)受壓,碳素顆粒始終處于無序狀態。從而使產品沒有或很少有性能上的差異。方向上的性能比不大于111。人們稱其為:“各向同性”。