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發(fā)布時間：2021-07-24 19:41
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光刻膠的應(yīng)用
光刻膠的應(yīng)用
1975年，美國的國際半導體設(shè)備與材料協(xié)會首先為微電子工業(yè)配套的超凈高純化學品制定了國際統(tǒng)一標準——SEMI標準。該技術(shù)的引入，可明顯減小光刻膠表面對入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復雜性和光刻成本的增加。1978年，德國的伊默克公司也制定了MOS標準。兩種標準對超凈高純化學品中金屬雜質(zhì)和(塵埃)微粒的要求各有側(cè)重，分別適用于不同級別IC的制作要求。其中，SEMI標準更早取得世界范圍內(nèi)的普遍認可。
芯片光刻的流程詳解（二）
所謂光刻，根據(jù)維基百科的定義，這是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu)，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。光刻膠介紹光刻膠自1959年被發(fā)明以來一直是半導體核心材料，隨后被改進運用到PCB板的制造，并于20世紀90年代運用到平板顯示的加工制造。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質(zhì)層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。
光刻的基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學反應(yīng)而形成耐蝕性的特點，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。
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光刻膠穩(wěn)定性
化學穩(wěn)定性：在正常儲存和操作條件下，在密閉容器中室溫穩(wěn)定。
避免的條件: 火源、濕氣、過熱的環(huán)境。
不相容的其他材料: 強氧化劑。
光刻膠毒理資料
淡黃色液體，氣味微弱。引起皮膚、眼睛、粘膜和呼吸道的刺激。可以通過皮膚吸收而引起全身性的癥狀。液體是可燃的。
毒性數(shù)據(jù)
皮膚：可以通過皮膚吸收而引起全身性的癥狀，類似于吸入。長時間或重復接觸可引起輕度至中度的刺激或皮炎。
眼睛：引起眼睛發(fā)炎。
吸入：吸入時可能有害。引起呼吸道刺激。蒸氣可能導致困倦和頭暈。
攝食：吞食有害。
延遲效應(yīng)：肝和損害，以及動物實驗中有報道血液和GU髓有影響。
