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發布時間：2020-12-06 13:10
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正負光刻膠
正負光刻膠
光刻膠分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照后變成可溶物質的即為正性膠。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的，故此叫正膠，利用這種性能，將光刻膠作涂層，就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。
一般來說線寬的用正膠,線窄的用負膠! 正性光刻膠比負性的精度要高，負膠顯影后圖形有漲縮，負性膠限制在2~3μm.，而正性膠的分辨力優于0.5μm 導致影響精度，正性膠則無這方面的影響。光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導體制造中最核心的工藝。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率，但是薄負性膠會影響孔。同種厚度的正負膠，在對于抗濕法和腐蝕性方面負膠更勝一籌，正膠難以企及。賽米萊德提供美國Futurrex的光刻膠的供應與技術參數。
NR9-3000PYNR9 3000P光刻膠報價
二、預烘和底膠涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）
由于光刻膠中含有溶劑，所以對于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進行的。
底膠涂覆增強光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。
美國Futurre光刻膠
30．想請教國產光刻膠不能達到膜厚要求，進口的有沒有比較好的光刻膠啊？
都可以啊！goodpr是大陸比較多公司采用的，
但是Futurre 光刻膠在國外是比較有名氣的，包括很多大型企業都有用，膜厚做的也
比較厚從18um-200um都 可以做到，看你對工藝的要求了。
光刻膠品牌FUTURRE光刻膠產品屬性：
1 FUTURRE光刻膠產品簡要描述及優勢:
1.1 Futurre光刻膠黏附性好，無需使用增粘劑（HMDS）
1.2 負性光刻膠常溫下可保存3年
1.3 150度烘烤，縮短了烘烤時間
1.4 單次旋涂能夠達到100um膜厚
1.5 顯影速率快，100微米的膜厚，僅需6~8分鐘
光刻膠
光刻膠由光引發劑、樹脂、溶劑等基礎組分組成，又被稱為光致抗蝕劑，這是一種對光非常敏感的化合物。4,曝光前烘好的存底放在光刻膠襯底放在光刻機上，經與光刻版對準后，進行曝光，接受光照的光刻膠發生化學變化，形成潛影，光源與光刻膠相匹配，也就是光源波長在光刻膠的敏感波段。此外，光刻膠中還會添加光增感劑、光致產酸劑等成分來達到提高光引發效率、優化線路圖形精密度的目的。在受到紫外光曝光后，它在顯影液中的溶解度會發生變化。
分類
根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類。
正膠
曝光前對顯影液不可溶，而曝光后變成了可溶的，能得到與掩模板遮光區相同的圖形。
優點：分辨率高、對比度好。
缺點：粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。
靈敏度：曝光區域光刻膠完全溶解時所需的能量
負膠egative
Photo Resist）
與正膠反之。
優點： 良好的粘附能力和抗刻蝕能力、感光速度快。
缺點： 顯影時發生變形和膨脹，導致其分辨率。
靈敏度：保留曝光區域光刻膠原始厚度的50%所需的能量。
