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若將反應氣體導入蒸發空間，便可在工件表面沉積金屬化合物涂層，這就是反應性離子鍍。由于采用等離子活化，工件只需在較低溫度甚至在室溫下進行鍍膜，完全保證零件的尺寸精度和表面粗糙度，因此，可以安排在工件淬火、回火后即后一道工序進行。如沉積TiN或TiC時，基體溫度可以在150-600℃范圍內選擇，溫度高時涂層的硬度高，與基體的結合力也高。基體溫度可根據基體材料及其回火溫度選擇，如基體為高速鋼，可選擇560℃，這樣，對于經淬火、回火并加工到尺寸的模具加工，無需擔心基體硬度降低及變形問題。另外，離子鍍的沉積速度較其他氣相沉積方法快，得到10mm厚的TiC或TiN涂層，一般只需要幾十分鐘。

化學氣相沉積的特點

化學氣相沉積工藝是，將加熱的模具暴露在發生反應的混合氣氛（真空度≤1Pa）中，使氣體與模具表面發生反應，在模具表面上生成一層薄的固相沉積物，如金屬碳化物、氮化物、硼化物等。這里有兩個關鍵因素：

一是作為初始混合氣體氣相與基體固相界面的作用，也就是說，各種初始氣體之間在界面上的反應來產生沉積，或是通過氣相的一個組分與基體表面之間的反應來產生沉積。

二是沉積反應必須在一定的能量條件下進行。一般情況下，產生氣相沉積的化學反應必須有足夠高的溫度作為條件，在有些情況下，可以采用等離子體或激光輔助作為條件，降低沉積反應的溫度。

化學氣相沉積工藝是這樣一種沉積工藝，被沉積物體和沉積元素（單元或多元）蒸發化合物置于反應室，當高溫氣流進入反應室時，可控制的反應室可使其發生一種合適的化學反應，導致被沉積物體的表面形成一種膜層，同時將反應產物及多余物從反應室蒸發排除。

化學氣相沉積（簡稱CVD），也即化學氣相鍍或熱化學鍍或熱解鍍或燃氣鍍，屬于一種薄膜技術。常見的化學氣相沉積工藝包括常壓化學氣相沉積（NPCVD），低壓化學氣相沉積（LPCVD），大氣壓下化學氣相沉積（APCVD）。

PCVD的工藝裝置由沉積室、反應物輸送系統、放電電源、真空系統及檢測系統組成。氣源需用氣體凈化器除往水分和其它雜質，經調節裝置得到所需要的流量，再與源物質同時被送進沉積室，在一定溫度和等離子體等條件下，得到所需的產物，并沉積在工件或基片表面。所以，PCVD工藝既包括等離子體物理過程，又包括等離子體化學反應過程。