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發布時間:2021-07-25 07:31  
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四氟化1碳一般認為是惰性低毒物質,在高濃度下是窒息劑,其毒性不及四氯1化碳。四氯1化碳與氟1化氫的反應在填有氫1氧化鉻的高溫鎳管中進行,反應后的氣體經水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過冷凍,用硅膠除去氣體中的水分經精餾而得成品。預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中,向反應管內通入氟氣,氟氣先和單質硅反應。
產品經除塵,堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質、再經脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進行間歇粗餾,通過控制精餾溫度,除去O2、N2、H2,得到高純CF4。因為導致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子,它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強,因此分離的可能性比較低。四氟化碳,又稱為四氟甲1烷、Freon-14及R 14,是一種鹵代烴(化學式:CF4)。它既可以被視為一種鹵代烴、鹵代甲1烷、全氟化碳,也可以被視為一種無機化合物。
電子四氟化碳是目前半導體行業主要的等離子體蝕刻氣體之一,在硅、二氧化硅、金屬硅化物以及某些金屬的蝕刻,以及低溫制冷、電子器件表面清洗等方面被廣泛應用。而電子特氣系統為它保駕護航,保證四氟化碳(CF4)的純度和安全穩定使用。在填有氫氧化鉻的高溫鎳管中進行,反應后的氣體經水洗、堿洗除去酸性氣體,再通過冷凍,用硅膠除去氣體中的水分,經精餾而得成品。由碳與氟反應,或與氟反應,或碳化硅與氟反應,或氟石與石油焦在電爐里反應,都能生成四氟化碳。

四氟化碳貯存注意事項:氣瓶使用和檢驗遵照《氣瓶安全監察規程》的規定。氣瓶內的氣體不能全部用盡,應該留不小于0.04MPa剩余壓力。四氟化碳對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-H2反應離子刻蝕時,通過調節兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。四氟化碳是當前微電子工業中應用量高的等離子體蝕刻氣體,被廣泛應用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蝕刻。除此之外,四氟化碳還能在電子電器表面清洗、激光、低溫制冷、太陽能電池等領域有著應用。
