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發布時間:2021-09-22 23:04  
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溫度對微弧氧化的影響
微弧氧化與陽極氧化不同,所需溫度范圍較寬。一般為10—90度。溫度越高,成膜越快,但粗糙度也增加。且溫度高,會形成水氣。一般建議在20—60度。由于微弧氧化以熱能形式釋放,所以液體溫度上升較快,微弧氧化過程須配備容量較大的熱交換制冷系統以控制槽液溫度。其中只有微弧區的溫度適中,既可使氧化膜的結構發生變化,又不造成鋁合金材料表面的受損,微弧氧化就是利用這個溫度區對材料表面進行改性處理的。所以微弧氧化過程中一定要控制好溫度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技術、微弧氧化電源
微弧氧化技術特點
1、提高材料表面硬度微弧氧化膜層為表面多孔(孔徑為幾微米)、內部致密的陶瓷層。 膜層硬度高(維氏硬度可由幾百至三千左右) 膜層與基體為冶金結合、厚度在幾微米至幾百微米之間。微弧氧化技術、微弧氧化生產線
2、微弧氧化技術絕緣性好耐熱性高,可承受高溫使用,范圍根據基材熔點溫度 有良好的絕緣性能,絕緣電阻膜阻>100MΩ 絕緣耐壓>5000V/秒。微弧氧化電源、微弧氧化生產工藝
微弧氧化技術的內容和工藝流程
微弧氧化技術主要針對對象是鋁、鎂、鈦等輕金屬以及他們的合金。下面我們一起了解一下鋁合金的微弧氧化技術與工藝流程。鋁及鋁合金材料的微弧氧化技術內容主要包括鋁基材料的前處理;工作電壓過高,工件易出現燒蝕現象,生成的陶瓷層致密性較差,厚度不鈞勻。微弧氧化;后處理三部分。鋁合金微弧氧化工藝流程如下:鋁基工件→化學除油→清洗→微弧氧化→清洗→后處理→成品檢驗。當然微弧氧化的效果,在氧化過程中受多方面因素的影響,折扣要求需要專業二熟練的操作。鎂合金微弧氧化、鈦合金微弧氧化、微弧氧化技術






微弧氧化的發展
由于微弧氧化是在陽極氧化膜被電ji穿的基礎上進行的,所以在探討微弧氧化機理時我們要結合電ji穿理論的研究和發展,從而闡述微弧氧化基本原理。微弧氧化技術就是在電ji穿理論的基礎上加以研究和應用的新型表面力一技術。自1932年Betz等觀察到電ji穿的現象以來,許多研究者都對電ji穿產生的原因 過各種各樣的假設和模型。總體上看,電ji穿理論經歷了離子電流機理、熱作用機理、機械作用機理以及電子雪崩機理等不同的發展階段。微弧氧化技術受哪些因素影響1、時間對微弧氧化的影響微弧氧化時間一般控制在10~60min。了解電ji穿原理,對于研究微弧氧化機理,開發新的表面處理技術均有著重要的理論意義。