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晶圓級封裝方案是直接將裸片直接焊接在主板上，晶圓級封裝主要分為扇入型封裝和扇出型封裝兩種。扇入型封裝是在晶圓片未切割前完成封裝工序，即先封裝后切割。因此，裸片封裝后與裸片本身的尺寸相同。晶圓級封裝分類：晶圓級封裝方案是直接將裸片直接焊接在主板上，晶圓級封裝主要分為扇入型封裝和扇出型封裝兩種。扇出型封裝是先在人造模壓晶圓片上重構(gòu)每顆裸片，“新”晶圓片是加工RDL布線層的基板，然后按照普通扇入型晶圓級封裝后工序，完成后的封裝流程。

封裝焊點(diǎn)熱疲勞失效

許多集成電路傳統(tǒng)上使用不含鉛的焊點(diǎn)凸點(diǎn)作為與其它管芯、封裝、甚至印刷電路板(PCB)的連接。相鄰層中不同的熱膨脹系數(shù)和溫度會使材料產(chǎn)生不同的膨脹和收縮。這些熱機(jī)械力，振動(dòng)、機(jī)械沖擊等，會對焊點(diǎn)造成應(yīng)變，并可能導(dǎo)致焊點(diǎn)和互連表面的裂紋。BGA一出現(xiàn)便成為CPU、主板上南/北橋芯片等高密度、、多引腳封裝的選擇。近，銅柱變得流行起來，因?yàn)樗鼈兊暮更c(diǎn)間距更小。然而，這些相互連接的剛性更強(qiáng)，根據(jù)施加的應(yīng)變，可能會更快地失效。

封裝過程為：來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝后，被切割為小的晶片，然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應(yīng)的基板（引線框架）架的小島上，再利用超細(xì)的金屬（金、錫、銅、鋁）導(dǎo)線或者導(dǎo)電性樹脂將晶片的接合焊盤連接到基板的相應(yīng)引腳,并構(gòu)成所要求的電路。Single-ended中COF是將芯片直接粘貼在柔性線路板上(現(xiàn)有的用Flip-Chip技術(shù))，再經(jīng)過塑料包封而成，它的特點(diǎn)是輕而且很薄，所以當(dāng)前被廣泛用在液晶顯示器(LCD)上，以滿足LCD分辨率增加的需要。封裝引腳之間距離很小、管腳很細(xì)，一般大規(guī)模或超大規(guī)模集成電路采用這種封裝形式。這些技術(shù)將大大提高產(chǎn)品級性能和功效，縮小面積，同時(shí)對系統(tǒng)架構(gòu)進(jìn)行改造。其引腳數(shù)一般從幾十到幾百，而且其封裝外形尺寸較小、寄生參數(shù)減小、適合高頻應(yīng)用。該封裝主要適合用SMT表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線。

在TSOP封裝方式中，內(nèi)存顆粒是通過芯片引腳焊在PCB板上的，焊點(diǎn)和PCB板的接觸面積較小，使得芯片向PCB板傳熱相對困難。而且TSOP封裝方式的內(nèi)存在超過150MHz后，會有很大的信號干擾和電磁干擾。WLCSP此封裝不同于傳統(tǒng)的先切割晶圓，再組裝測試的做法，而是先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測試，然后再切割。全球競爭格局：封測環(huán)節(jié)是我國較早進(jìn)入半導(dǎo)體的領(lǐng)域，同時(shí)也是中國半導(dǎo)體行業(yè)目前發(fā)展較為成熟、增長較為穩(wěn)定，未來比較有希望實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代的領(lǐng)域。幾年之前封裝本體面積與芯片面積之比通常都是幾倍到幾十倍，但近幾年來有些公司在BGA、TSOP的基礎(chǔ)上加以改進(jìn)而使得封裝本體面積與芯片面積之比逐步減小到接近1的水平，所以就在原來的封裝名稱下冠以芯片級封裝以用來區(qū)別以前的封裝。