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發布時間:2020-12-06 17:31  
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光刻膠概況
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光刻膠又稱光致抗蝕劑,是光刻工藝的關鍵化學品,主要利用光化學反應將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上,被廣泛應用于光電信息產業的微細圖形線路的加工制作,下游主要用于集成電路、面板和分立器件的微細加工,同時在 LED、光伏、磁頭及精密傳感器等制作過程中也有廣泛應用,是微細加工技術的關鍵性材料。光刻膠的主要成分為樹脂、單體、光引發劑及添加助劑四類。其中,樹脂約占 50%,單體約占35%,光引發劑及添加助劑約占15%。
光刻膠工藝
主要用于半導體圖形化工藝,是半導體制造過程中的重要步驟。光刻工藝利用化學反應原理把事先制備在掩模上的圖形轉印到晶圓,完成工藝的設備光刻機和光刻膠都是占半導體芯片工廠資產的大頭。
在目前比較主流的半導體制造工藝中,一般需要40 步以上獨立的光刻步驟,貫穿了半導體制造的整個流程,光刻工藝的先進程度決定了半導體制造工藝的先進程度。光刻過程中所用到的光刻機是半導體制造中的核心設備。目前,ASML 的NXE3400B售價在一億歐元以上,媲美一架F35 戰斗機。
按曝光波長,光刻膠可分為紫外(300~450 nm)光刻膠、深紫外(160~280 nm)光刻膠、極紫外(EUV,13.5 nm)光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。按照應用領域的不同,光刻膠又可以分為印刷電路板(PCB)用光刻膠、液晶顯示(LCD)用光刻膠、半導體用光刻膠和其他用途光刻膠。PCB光刻膠技術壁壘相對其他兩類較低,而半導體光刻膠代表著光刻膠技術先進水平。
光刻膠的未來發展
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由于光刻膠的技術壁壘較高,國內光刻膠市場基本被國外企業壟斷。特別是高分辨率的KrF和ArF光刻膠,基本被日本和美國企業占據。
國內光刻膠生產商主要生產PCB光刻膠,面板光刻膠和半導體光刻膠生產規模相對較小。國內生產的光刻膠中,PCB光刻膠占比94%,LCD光刻膠和半導體光刻膠占比分別僅有3%和2%。
國內光刻膠需求量遠大于本土產量,且差額逐年擴大。由于國內光刻膠起步晚,目前技術水平相對落后,生產產能主要集中在PCB光刻膠、TN/STN-LCD光刻膠等中低端產品,TFT-LCD、半導體光刻膠等高技術壁壘產品產能很少,仍需大量進口,從而導致國內光刻膠需求量遠大于本土產量。
光刻膠介紹
光刻膠是電子領域微細圖形加工關鍵材料之一,是由感光樹脂、增感劑和溶劑等主要成分組成的對光敏感的混合液體。在紫外光、深紫外光、電子束、離子束等光照或輻射下,其溶解度發生變化,經適當溶劑處理,溶去可溶性部分,然后得到所需圖像。 光刻膠作為技術門檻極高的電子化學品一直被國際企業壟斷。 隨著大力研發和投入, 國內企業已逐步從低端 PCB 光刻膠發展至中端半導體光刻膠的量產。