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KOAN 晶體濾波器(MCF) 參數介紹：濾波器通帶中心頻率

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濾波器通帶的中心頻率 f0，一般取 f0=（f1 f2）/2，f1、f2 為帶通或帶阻濾波器左、右相對下降 1dB 或 3dB 邊頻點，常以插損點為中心頻率計算通帶帶寬。

通帶寬度；通帶帶寬(BWxdB)：需要通過的頻譜寬度，BWxdB=(f2-f1)。f1、f2 為以中心頻率 f0 處插入損耗為基準，下降 X(dB)處對應的左、右邊頻點。指相對衰耗小于和等于某一規定值時的頻率寬度（如 1dB、2dB、3dB、6dB 等）。

KOAN 晶體濾波器(MCF)： 參數介紹：插入損耗和帶內波動，帶內相位線性度

插入損耗：由于濾波器的引入對電路中原有信號帶來的衰耗，以中心或截止頻率處損耗表征，信號源直接傳送給負載阻抗的功率（P0）和插入濾波器后傳送給負載阻抗的功率（P1）之比的對數值，常用分貝（dB）為單位進行度量，表示為IL=10 lg （P0/ P1）。帶內相位線性度：表征濾波器對通帶內傳輸信號的相位失真度。

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KOAN 晶體濾波器(MCF) 參數介紹：帶內駐波比，阻帶抑制度

帶內駐波比(VSWR)：衡量濾波器通帶內信號是否良好匹配傳輸的一項重要指標。理想匹配 VSWR=1：1，失配時 VSWR>1。對于一個實際的濾波器而言，滿足 VSWR<1.5：1 的帶寬一般小于 BW3dB，其占 BW3dB 的比例與濾波器階數和插損相關。

阻帶抑制度：衡量濾波器選擇性能好壞的重要指標。該指標越高說明對帶外干擾信號抑制的越好。濾波器階數越多矩形度越高——即 K 越接近理想值 1，制作難度當然也就越大。

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KOAN 晶體濾波器(MCF) ，EMI ： 和差分輸出晶振的共同目標降低電磁干擾

電磁干擾被定義為當一個設備的電磁場通過輻射和/或傳導路徑干擾,阻礙或降低另一個設備的電磁場時自然發生的現象.電磁干擾會導致兩個或多個電子設備相互干擾,并影響它們的性能和操作。電磁干擾是對頻率源輻射能量的測量,通常在給定頻率下以 dBmV/m(分貝-伏特每米)為單位進行測量.輻射能量越大,該參數越大.因此,頻率源發射的能量越多,產生的電場和電磁干擾就越大.定義電磁干擾測量的頻譜時,需要區分峰值電磁輻射和平均電磁輻射.平均發射被定義為給定頻譜上的平均 dBmV/m 水平.峰值發射定義為給定頻譜內任何頻率下的大dBmV/m 水平.

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