大功率IGBT測試儀加工常用指南「華科智源」

（3）設備的功能特點 1）各種數據以圖形方式在檢測時實時顯示與記錄。數據采集后，后臺軟件自動及時繪出相應圖表，以方便現場判斷使用。001～10V 集電極電流ICE： 0-1600A 集電極電壓VCEs： 0。 2）具有大容量的數據采集能力。測試數據直接進入控制電腦，這樣使得采集數據的容量為無限大。 3）具有內置的軟件，幫助提供自動判斷。 4）具有方便的歷史數據存儲及檢索功能。

14）工控機及操作系統

用于控制及數據處理，采用定制化系統，主要技術參數要求如下：

?機箱：4Μ 15槽上架式機箱；

?支持ATX母板；

?CPΜ：INTEL雙核；

?主板：研華SIMB；

?硬盤：1TB；內存4G；

?3個5.25”和1個3.5”外部驅動器；

?集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。

?西門子PLC邏輯控制

15）數據采集與處理單元

用于數據采集及數據處理，主要技術參數要求如下：

?示波器;高壓探頭：滿足表格4-11動態參數、短路電流、安全工作區測試需求

?電流探頭：滿足表格4-11動態參數、短路電流、安全工作區測試需求

?狀態監測：NI數據采集卡

?上位機：基于Labview人機界面

?數據提取：測試數據可存儲為Excel文件及其他用戶需要的任何數據格式，特別是動態測試波形可存儲為數據格式；所檢測數據可傳遞至上位機處理；從檢測部分傳輸的數據經上位機處理后可自動列表顯示相應測試數據；?數據處理和狀態檢測部分內容可擴展

2.2反向恢復技術條件 測試參數： 1、Irr(反向恢復電流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr (反向恢復電荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0.1 uC 50～200uC±5%±1 uC 200～1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向恢復時間)：20～2000ns 20～100±5%±1ns 100～500±5%±2ns 500～2000±3%±5ns 4、Erec(反向關斷能量損失)：0.5～1000mJ 0.5～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～200mJ±5%±1mJ 200～1000mJ±5%±2mJ 測試條件： 1、正向電流IFM：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、-di/dt測量范圍：200～10000A/us 3、反向關斷峰值電壓VRRpk：200～1000V±3%±2V 4、dv/dt測量范圍：100～10000V/us

4驗收和測試 1)驗收由雙方共同參加，按照技術規范書的技術要求逐項完成所有測試項，檢驗單元是否功能齊全、模塊完整、正常運行。由賣方現場安裝、測試，買方確認測試合格通過后完成驗收。 2)賣方負責組織和實施整個單元的組裝、調試、系統集成工作；負責免費培訓并提供培訓教材。半導體元器件檢測中心——應用本公司測試系統可擴大檢測中心的檢測范圍、提高檢測效率，提升檢測水平，增加經濟效益。培訓后，應能達到用戶能基本完全獨立熟練操作單元進行功率半導體性能測試，并能解決實際工程問題。