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              大功率IGBT測試儀批發滿意的選擇 華科便攜式測試臺

              發布時間:2021-05-18 03:39  

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              如何執行導通參數與漏電流的量測?

              ?測試條件中待輸入的數字,必須依照元件生產廠所提供的規格來輸入,而測量結果,亦必須在其所規定的限額內,否則,便為不良品。

              大功率I g b t模塊測試系統簡介

              我公司所設計生產的半導體元件自動測試系統具備下列測試能力:

              ☆可單機獨立操作,測試范圍達2000V及50A。

              ☆外接大電流擴展裝置,檢測范圍可擴展1600A。


              產品主要有電力半導體器件、組件、模塊(包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等)的檢測及可靠性設備,電氣自動化設備,電冶、電化學裝置,電力半導體變流裝置及各種高、中、低頻感應加熱電源、感應加熱爐,晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅動器、遠距離光電轉換軟件控制系統、光電脈沖觸發板、IGBT的智能高壓驅動板等。C:脈沖寬度50uS~300uS D:Vce測量精度2mV E:Vce測量范圍>。


              9)尖峰抑制電容 用于防止關斷瞬態過程中的IGBT器件電壓過沖。 ?電容容量 200μF ?分布電感 小于10nH ?脈沖電流 2kA ?工作溫度 室溫~40℃ ?工作濕度 <70% 11)動態測試續流二極管 用于防止測試過程中的過電壓。 ?反向電壓 8000V(2只串聯) ?-di/dt大于2000A/μs ?通態電流 1200A ?壓降小于1V ?浪涌電流大于20kA ?反向恢復時間小于2μs ?工作溫度 室溫~40℃ ?工作濕度 <70% 12)安全工作區測試續流二極管 ?反向電壓 12kV(3只串聯) ?-di/dt 大于2000A/μS ?01~50mA集電極電壓VCES: 50~500V±2%±1V。通態電流 1200A ?壓降 小于1V ?浪涌電流 大于20kA ?反向恢復時間 小于2μS ?工作溫度 室溫~40℃ ?工作濕度 <70%


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