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硅片化學清洗是為了除去原子、離子不可見的污染,方法較多,有溶劑萃取、酸洗（硫酸、硝酸、王水、各種混合酸等）和等離子體法等。其中雙氧水體系清

洗方法效果好，環境污染小。一般方法是將硅片先用成分比為H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗。清洗液的強氧化性,將有機物分解而除去；，

由于H2O2的氧化作用和鹽酸的溶解，以及氯離子的絡合性，許多金屬生成溶于水的絡離子，從而達到清洗的目的。 

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臺實用的光伏切片機臺誕生于1980年代，它源于Charles Hauser 博士前沿性的研究和工作。Charles

Hauser博士是瑞士HCT切片系統的創辦人，主流的用于硅錠和硅片切割的機臺的基本結構仍然源于Charles Hauser

博士的機臺，不過在處理載荷和切割速度上已經有了顯著的提高。



     

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硅粒度過大時，由于不能和搗爐粘料及反應速度相適應，易使未反應的硅石進入液體硅中，造成渣量增多，出爐困難，硅的回收率降低，能耗增大，甚至造成

爐底上漲，影響正常生產。粒度過小，雖能增大還原劑的接觸表面，有利于還原反應的進行，但反應過程中生產的氣體不能順利排出，又會減慢反應速度。粒度過小

時。帶入的雜質又會增多，影響產品質量。生產中一般小于5mm 的硅石不宜采用。