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              發布時間:2020-12-31 08:39  

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              IGBT的驅動電路特點(二)

              IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相結合的產物。它的三個極分別是集電極(C)、發射極(E)和柵極(G)。

              特點:擊穿電壓可達1200V,集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上,工作頻率可達20kHz。

              IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(絕緣柵雙極型晶體管)的縮寫,IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體管,它融合了這兩種器件的優點,既具有MOSFET器件驅動功率小和開關速度快的優點,又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優點,其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz頻率范圍內,在現代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用,在較高頻率的大、中功率應用中占據了主導地位。2、它的輸出電流是恒定的,理想的電路是無論LED的特性曲線怎么變化,驅動電源的電流保持不變。




              若在IGBT的柵極和發射極之間加上驅動正電壓,則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態而使得晶體管導通;若IGBT的柵極和發射極之間電壓為0V,則MOS 截止,切斷PNP晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。IGBT與MOSFET一樣也是電壓控制型器件,在它的柵極—發射極間施加十幾V的直流電壓,只有在u級的漏電流流過,基本上不消耗功率。液晶顯示器的分辨率越來越高,這就意味著掃描列數的增加,GateDriverIC必須不斷提高開關頻率,SourceDriverIC必須不斷提高掃描頻率。



              半橋全橋驅動電路的作用是什么?

              半橋全橋復的驅動電路是使功率管產生交流制電的觸發信號,并不是將交流信號變直流信號。百即使單片度機可以輸出直流信號,但是它問的驅動能力也是有限的,所以單片機一般做驅動答信號,驅動大的功率管,來產生大電流從而才能驅動電機。



              瑞泰威主營業務為:驅動IC、存儲IC、觸摸IC等電子元器件產品,產品型號齊全,能夠滿足您不同性能需求的電子元器件產品。生產之后,經過嚴密測試分析流程才出貨,保持和提高產品可靠性,月出貨量100萬PCS。


              新型LED驅動器IC介紹

              在汽車市場上,由于LED燈壽命長、安裝密度高,因而越來越多的車燈都采用LED燈。傳統的車載LED燈通過在模塊化基板上,組合大量電子元件,以支持各種設計和功能。近年來除了設計之外,人們對LED燈可維護性性能提升的要求也越來越高。在《標準化工作導則第2部分:標準中規范性技術要素內容的確定方法》的”5.4.3由供方確定的數值“中提及:“如果允許產品存在多樣化,則產品的某些特性值可不必做出規定(盡管這些特性對產品的性能有明顯的影響)”。插座式LED燈可像LED燈泡一樣,很容易被更換,可維護性性能很優越,因而備受關注。但是,很難減小插座的大小,導致設計靈活性被降低。瑞泰威驅動IC廠家,是國內IC電子元器件的代理銷售企業,專業從事各類驅動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售,品類齊全,具備上百個型號。




              為解決該問題,羅姆研發了新型LED驅動器IC,能夠安裝在超緊湊的插座型LED燈電路內,即使在電池電壓下降的情況下,仍可確保穩定的照明。



              無線充電芯片組成

              從結構上看,無線充電發射端芯片主要由驅動芯片、MOS芯片和主芯片三部分組成。單片機方案下,控制芯片、驅動芯片、運放全部獨立,外圍元件也相當多,總而言之,非常復雜,元器件太多。實際的MOSFET有別于理想的MOSFET,柵極和源度極,源極和漏極都是存在電容的,要用合適的驅動電路才能使MOS管工作在低導通損耗的開關狀態。原材料品種繁多,生產試驗流程復雜,不利于產品的快速開發、生產和銷售。



              即Systemonachip,它是指在一塊芯片上集成一個完整系統。當前對SoC方案的一些比較常見的定義是:SoC即主控制和驅動集成。由于對于單相反電動勢波形圖,反電動勢過零點30°處對應繞組的換向信號,找出反電動勢過零點,即反電動勢檢測的任務〔2〕。但是也有聲音表示這種說法并不準確,主控、驅動、MOS完整集合才是真正的SoC。以下是SoC的定義,暫且先以種表述為準。


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