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              便攜式IGBT測試儀現貨供應全國發貨「多圖」

              發布時間:2021-04-26 02:46  

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              為何老化的元件必須盡早發現及盡早更換?

              當功率元件老化時,元件的內阻在導通時必定會加大,因而使溫度升高,并使其效能降低。功率元件由于經常有大電流往復的沖擊,對半導體結構均具有一定的耗損性及破壞性,若其工作狀況又經常在其安全工作區的邊緣,更會加速元件的老化程度,故元件老化,就如人的老化一樣是不可避免的問題。長期使用后若溫升過高時,會使元件在關閉時的漏電流急遽升高。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加),進而使半導體的接口產生大量崩潰,而將此元件完全燒毀。當元件損毀時,會連帶將其驅動電路上的元件或與其并聯使用的功率元件一并損傷,所以,必須即早發現更換。


              2.4短路技術條件 1、Vcc: 200~1000V 200~1000V±3%±2V 2、一次短路電流:20000A 500~1000A±3%±2A 1000A~5000A±2%±5A 5000A~20000A±2%±10A 3、tp:5-30us 2.5雪崩技術條件 1、Vce:50~500V±3%±5V 500~1000V±3%±5V 2、Ic:1A~50A 1A~9.9A±3%±50mA 10A~50A±3%±1A 3、EA:10mJ~20J 10mJ~1000mJ±3%±1mJ 1J~20J±3%±10mJ 4、脈沖寬度:40—1000uS可設定 5、測試頻率:單次 2.6 NTC測試技術條件 阻值測量范圍:0~20KΩ


              13)被測器件旁路開關 被測安全接地開關,設備不運行時,被測接地。 ?電流能力 DC 50A ?隔離耐壓 15kV ?響應時間 150ms ?工作方式 氣動控制 ?工作氣壓 0.4MPa ?工作溫度 室溫~40℃ ?工作濕度 <70% 14)工控機及操作系統 用于控制及數據處理,采用定制化系統,主要技術參數要求如下: ?機箱:4Μ 15槽上架式機箱; ?支持ATX母板; ?CPΜ:INTEL雙核; ?主板:研華SIMB; ?硬盤:1TB;內存4G; ?3個5.25”和1個3.5”外部驅動器; ?集成VGA顯示接口、4個PCI接口、6個串口、6個ΜSB接口等。1電壓源:220VAC±10%,50Hz/60Hz20ARMS。 ?西門子PLC邏輯控制


              IGBT靜態參數測試部分主要材料技術要求 1)閾值電壓測試電路 閾值電壓測試電路(僅示出IEC標準測試電路) ?滿足表格9測試參數要求 ?低壓開關電源要求:Vcc=12V (針對上圖電路) ?可調電源:0.1~10V±1%±0.01V;分辨率0.01V ?集電極電流測試電路精度:10~50mA±1%±0.5mA;對其測試數據極為滿意,解決了特大功率器件因無法測試給機車在使用帶來的工作不穩定、器件易燒壞、易等問題。 50~200mA±1%±1mA;200~1000mA±1%±2mA;1000~2000mA±1%±5mA; 2)集射極截止電壓/集射極截止電流測試電路 集射極截止電壓/發射極截止電流測試電路 ?高壓充電電源:10~2kV連續可調 ?支撐電容:額定電壓2kV ?集電極電流ICES:0.01~1mA±3%±0.001mA;1~10mA±2%±0.01mA;10~30mA±1%±0.1mA;30~300mA±1%±0.1mA ?集電極電壓VCES:200~1500V±2%±1V