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半導體器件生產中硅片須經嚴格清洗。微量污染也會導致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質，包括有機物和無機物。這些雜質有的以原子狀態或離

子狀態，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括

重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴重影響少數載流子壽命和表面電導；堿金屬如鈉等，引起嚴重漏電；顆粒污染包括硅渣、塵埃、細菌、微生物、有機膠體纖維等，會導

致各種缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化學清洗兩種。

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硅粉的研究始于斯堪的納維亞國家，盡管20世紀50年代人們對硅粉作用就有所認識和初步的研究，但應用于實際工程中是從70年始的，首先是挪威

和瑞典等國家在港口碼頭、北海油田及地下礦井中部分采用了硅粉混凝土，1982 年，挪威在伏諾維斯壩上正式采用了硅粉混凝土筑壩， 20世紀80

年代初加拿大在魁北克建立了硅粉混凝土，并對大體積硅粉混凝土進行試驗研究，拌制高標號混凝土1

萬立方米，1983年美國用硅粉混凝土修補了奧里夫尼河上的卡查壩消力池，效果良好。世界上其它國家也都加緊研究和應用。所以，無論從滿足出口和國內需求，還是從提高金屬硅企業經濟效益，提高產品質量，大力發展化學用硅生產都是必要的。    


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以硅塊為原料制取硅粉的方法很多。其中效果較好、應用較多的是雷蒙法，對輥法、盤磨法和沖旋法。所用設備相應是雷蒙法、對輥機、盤磨機（也稱立磨）和沖旋法。就制粉原理，種是擠壓粉碎，后一種是沖擊粉碎，就其結構，相異很大，各有特色，各有優缺點。



  

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