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發(fā)布時間：2021-04-04 15:36
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IGBT測試裝置技術要求 （1）設備功能 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測試。系統(tǒng)的測試原理符合相應的國家標準，系統(tǒng)為獨立式單元，封閉式結(jié)構(gòu)，具有升級擴展?jié)撃堋?IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測試，在IGBT的檢測中，采用大電流脈沖對IGBT進行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測。為提供穩(wěn)定的大電流脈沖，采用了支撐電容補償及步進充電的方法，解決IGBT進行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測問題。1 機臺可測試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3。
測量目的：對模塊的電壓降參數(shù)進行檢測, 可判斷模塊是否處于正常狀態(tài)。 功率模塊的VCE-IC特性曲線會隨著器件使用年限的增加而變化，飽和壓降Vcesat會逐漸劣化。因此，定期檢測可預防發(fā)現(xiàn)功率模塊故障。且變流器由多個模塊組成，由于個體差異，大電流情況下的參數(shù)也會存在個體差異。因此，測量大電流情況下的各個模塊實際技術參數(shù)，進行跟蹤管理，可有效保障機車中間直流環(huán)節(jié)可靠運行。 IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。大功率Igbt模塊測試系統(tǒng)簡介我公司所設計生產(chǎn)的半導體元件自動測試系統(tǒng)具備下列測試能力：☆可單機獨立操作，測試范圍達2000V及50A。
為何老化的元件必須盡早發(fā)現(xiàn)及盡早更換？
當功率元件老化時，元件的內(nèi)阻在導通時必定會加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。長期使用后若溫升過高時，會使元件在關閉時的漏電流急遽升高。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進而使半導體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。當元件損毀時，會連帶將其驅(qū)動電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。系統(tǒng)的測試原理符合相應的國家標準，系統(tǒng)為獨立式單元，封閉式結(jié)構(gòu)，具有升級擴展?jié)撃堋?/p>
1）可調(diào)充電電壓源
用來給電容器充電，實現(xiàn)連續(xù)可調(diào)的直流母線電壓，滿足動態(tài)測試、短路電流的測試需求。
?輸入電壓 380V±10%
?頻率 50HZ；
?輸出電壓 500～1500V可調(diào)（可多個電源組成）
?輸出電流 10A；
?電壓控制精度 1%
?電壓調(diào)整率 <0.1%；
?紋波電壓 <1%；
?工作溫度 室溫～40℃；
?保護 有過壓、過流、短路保護功能。
