化學氣相沉積設(shè)備價格擇優(yōu)推薦【沈陽鵬程】

化學氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用

化學氣相沉積法生產(chǎn)晶體、晶體薄膜

化學氣相沉積法不但可以對晶體或者晶體薄膜性能的改善有所幫助，而且也可以生產(chǎn)出很多別的手段無法制備出的一些晶體。化學氣相沉積法常見的使用方式是在某個晶體襯底上生成新的外延單晶層，開始它是用于制備硅的，后來又制備出了外延化合物半導體層。等離子體化學氣相沉積簡稱PCVD，是一種用等離子體激發(fā)反應(yīng)氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。它在金屬單晶薄膜的制備上也比較常見（比如制備 W、Mo、Pt、Ir 等）以及個別的化合物單晶薄膜（例如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等）。

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PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別

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PCVD與傳統(tǒng)CVD技術(shù)的區(qū)別在于等離子體含有大量的高能量電子，這些電子可以提供化學氣相沉積過程中所需要的激發(fā)能，從而改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。由于等離子體中的電子溫度高達10000K，電子與氣相分子的碰撞可以促進反應(yīng)氣體分子的化學鍵斷裂和重新組合，生成活性更高的化學基團，同時整個反應(yīng)體系卻保持較低的溫度。刻蝕腔體的真空由機械泵和分子泵共同提供，刻蝕腔體反應(yīng)生成的氣體也由真空系統(tǒng)排空。這一特點使得原來需要在高溫下進行的CVD過程得以在低溫下進行。