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發(fā)布時(shí)間：2021-04-04 16:20
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測(cè)試參數(shù)： ICES 集電極-發(fā)射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓 ICON 通態(tài)電極電流 VGEON 通態(tài)柵極電壓 VF 二極管正向?qū)▔航? 整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢(xún)功能，可生成測(cè)試曲線(xiàn)，方便操作使用。IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)要求1、設(shè)備概述該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過(guò)測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。
大功率半導(dǎo)體器件為何有老化的問(wèn)題？
任何產(chǎn)品都有設(shè)計(jì)使用壽命，同一種產(chǎn)品不同的使用環(huán)境和是否得到相應(yīng)的維護(hù)，延長(zhǎng)產(chǎn)品使用壽命和設(shè)備良好運(yùn)行具有極為重要。功率元件由于經(jīng)常有大電流往復(fù)的沖擊，對(duì)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經(jīng)常在其安全工作區(qū)的邊緣，更會(huì)加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問(wèn)題。2測(cè)試對(duì)象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導(dǎo)體模塊 2。
測(cè)試大功率元件應(yīng)用范例說(shuō)明？
2011年，我們?cè)谏钲诘罔F運(yùn)營(yíng)公司前海車(chē)輛段大修車(chē)間，進(jìn)行了實(shí)際的展示與操作，廠方提供了許多元件來(lái)測(cè)試，其中一部份由于損毀嚴(yán)重，在一開(kāi)始的功能與元件判別過(guò)程，即被判出局，而未進(jìn)入實(shí)質(zhì)的參數(shù)量測(cè)，也有全新的IGBT，量測(cè)結(jié)果完全合乎出廠規(guī)格.對(duì)其測(cè)試數(shù)據(jù)極為滿(mǎn)意，解決了特大功率器件因無(wú)法測(cè)試給機(jī)車(chē)在使用帶來(lái)的工作不穩(wěn)定、器件易燒壞、易等問(wèn)題。用戶(hù)能對(duì)舊品元件作篩選，留下可用元件，確實(shí)掌握設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)的可靠度。凡是半導(dǎo)體元件如金屬氧化場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATEDGATEB。
2.2反向恢復(fù)技術(shù)條件 測(cè)試參數(shù)： 1、Irr(反向恢復(fù)電流)：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、Qrr (反向恢復(fù)電荷)：1～1000uC 1～50uC±5%±0.1 uC 50～200uC±5%±1 uC 200～1000uC±5%±2 uC 3、trr(反向恢復(fù)時(shí)間)：20～2000ns 20～100±5%±1ns 100～500±5%±2ns 500～2000±3%±5ns 4、Erec(反向關(guān)斷能量損失)：0.5～1000mJ 0.5～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～200mJ±5%±1mJ 200～1000mJ±5%±2mJ 測(cè)試條件： 1、正向電流IFM：50～1000A 50～200A±3%±1A 200～1000A±3%±2A 2、-di/dt測(cè)量范圍：200～10000A/us 3、反向關(guān)斷峰值電壓VRRpk：200～1000V±3%±2V 4、dv/dt測(cè)量范圍：100～10000V/us
