臺灣便攜式IGBT測試儀現貨供應廠家供應 華科動態參數IGBT

7、測量配置

7.1 示波器：美國泰克新5系混合信號示波器（MSO），帶寬500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；

7.2 高速電流探頭；

7.3 高壓差分探頭。

8、測試參數應包括

8.1 開通：turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon )；

8.2 關斷：turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff)；

8.3 反向恢復 (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec)；

8.4 柵電荷：采用恒流驅動，電流可調范圍：0～100mA；

8.5 短路（1200Ａmax）；

8.6 雪崩；

8.7 NTC(模塊)測試：0-20KΩ；

8.8 主要測試參數精度偏差 ：< 3 % 。

目的和用途 該設備用于功率半導體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動態參數測試，以表征器件的動態特性，通過測試夾具的連接，實現模塊的動態參數測試。半導體元件全自動測試系統，可以元件在真正工作狀態下的電流及電壓，并測量重要參數的數據，再與原出廠指標比較，由此來判定元件的好壞或退化的百分比。 1.2 測試對象 IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導體模塊 2.測試參數及指標 2.1開關時間測試單元技術條件 開通時間測試參數： 1、開通時間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、開通電流上升率di/dt測量范圍：200-10000A/uS 6、開通峰值功率Pon：10W～250kW

關斷時間測試參數： 1、關斷時間toff：5～2000ns±3%±3ns 2、關斷延遲時間td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降時間tf：5～2000ns±3%±3ns 4、關斷能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、關斷耗散功率Pon：10W～250kW 關斷時間測試條件： 1、集電極電壓Vce：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 2、集電極電流Ic：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A;

7質量保證要求 ?賣方應通過ISO 9001質量論證。 ?賣方所提供的元件，必須是經過檢驗合格的器件，否則，買方有權拒付貨款。 ?買方有權要求賣方委托第三方進行有關參數的測試，以確保出廠測試的參數真實有效。 ?在調試期間發現元件有缺陷或受到損壞，應由賣方負責免費更換并予以賠償。 ?賣方由于自身原因而延遲交貨時，買方有權按商務規定方法向賣方收取罰款。 ?賣方對技術規范保證數據的有效性及交貨保質期等應由雙方協商確定并簽署在合同中。5包裝、標志和運輸 賣方負責整套設備的包裝和運輸，并負擔由此產生的費用。