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              發(fā)布時間:2021-05-10 02:34  

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              負性光刻膠

              負性光刻膠

                  負性光刻膠分為粘性增強負性光刻膠、加工負性光刻膠、剝離處理用負性光刻膠三種。

                  A、粘性增強負性光刻膠

                  粘性增強負膠的應用是在設計制造中替代基于聚異戊二烯雙疊氮的負膠。粘性增強負膠的特性是在濕刻和電鍍應用時的粘附力;很容易用光膠剝離器去除,厚度范圍是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波長曝光。

                  粘性增強負膠對生產量的影響,消除了基于溶液的顯影和基于溶液沖洗過程的步驟。優(yōu)于傳統正膠的優(yōu)勢:控制表面形貌的優(yōu)異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優(yōu)越的分辨率、150 ℃軟烘烤的應用可縮短烘烤時間、優(yōu)異的光速度進而增強曝光通量、更快的顯影,100 μm的光膠顯影僅需6 ~ 8分鐘、光膠曝光時不會出現光膠氣泡、可將一個顯影器同時應用于負膠和正膠、不必使用粘度增強劑。同種厚度的正負膠,在對于抗?jié)穹ê透g性方面負膠更勝一籌,正膠難以企及。

                  i線曝光用粘度增強負膠系列:NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。

                  g和h線曝光用粘度增強負膠系列:NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。

                  B、加工負膠

                  加工負膠的應用是替代用于RIE加工及離子植入的正膠。加工負膠的特性在RIE加工時優(yōu)異的選擇性以及在離子植入時優(yōu)異的溫度阻抗,厚度范圍是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波長曝光。

                  加工負膠優(yōu)于正膠的優(yōu)勢是控制表面形貌的優(yōu)異帶寬、任意甩膠厚度都可得到筆直的側壁、具有一次旋涂即可獲得100 μm甩膠厚度、厚膠層同樣可得到優(yōu)越的分辨率、150 ℃軟烘烤的應用可縮短烘烤時間、優(yōu)異的光速度進而增強曝光通量、更快的顯影,100 μm的光膠顯影僅需6 ~ 8分鐘、光膠曝光時不會出現光膠氣泡、可將一個顯影器同時應用于負膠和正膠、優(yōu)異的溫度阻抗直至180 ℃、在反應離子束刻蝕或離子減薄時非常容易地增加能量密度,從而提高刻蝕速度和刻蝕通量、非常容易進行高能量離子減薄、不必使用粘度促進劑。按照感光樹脂的化學結構分類,光刻膠可以分為①光聚合型,采用烯類單體,在光作用下生成自由基,進一步引發(fā)單體聚合,最后生成聚合物,具有形成正像的特點。

                  用于i線曝光的加工負膠系列:NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。


              正負光刻膠

              正負光刻膠

              光刻膠分負性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質的是負性膠;反之,對某些溶劑是不可溶的,經光照后變成可溶物質的即為正性膠。正膠的圖像與掩模板的圖像是一致的,故此叫正膠,利用這種性能,將光刻膠作涂層,就能在硅片表面刻蝕所需的電路圖形。

              一般來說線寬的用正膠,線窄的用負膠!北京賽米萊德貿易有限公司供應美國Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY,NR9i-3000PY有下面的優(yōu)勢:1。 正性光刻膠比負性的精度要高,負膠顯影后圖形有漲縮,負性膠限制在2~3μm.,而正性膠的分辨力優(yōu)于0.5μm 導致影響精度,正性膠則無這方面的影響。雖然使用更薄的膠層厚度可以改善負性膠的分辨率,但是薄負性膠會影響孔。同種厚度的正負膠,在對于抗?jié)穹ê透g性方面負膠更勝一籌,正膠難以企及。賽米萊德提供美國Futurrex的光刻膠的供應與技術參數。


              全球市場

              目前,光刻膠單一產品市場規(guī)模與海外巨頭公司營收規(guī)模相比較小,光刻膠僅為大型材料廠商的子業(yè)務。但由于光刻膠技術門檻高,就某一光刻膠子行業(yè)而言,僅有少數幾家供應商有產品供應。

              由于光刻膠產品技術要求較高,中國光刻膠市場基本由外資企業(yè)占據,國內企業(yè)市場份額不足40%,高分辨率的KrF和ArF光刻膠,其核心技術基本被日本和美國企業(yè)所壟斷,產品也基本出自日本和美國公司,包括陶氏化學、JSR株式會社、信越化學、東京應化工業(yè)、Fujifilm,以及韓國東進等企業(yè)。光刻膠工藝普通的光刻膠在成像過程中,由于存在一定的衍射、反射和散射,降低了光刻膠圖形的對比度,從而降低了圖形的分辨率。

              而細化到半導體用光刻膠市場,國內企業(yè)份額不足30%,與國際水平存在較大差距。超過80%市場份額掌握在日本住友、TOK、美國陶氏、美國futurrex等公司手中,國內公司中,蘇州瑞紅與北京科華實現了部分品種的國產化,但是整體技術水平較低,僅能進入8英寸集成電路生產線與LED等產線。堅膜溫度通常情況高于前烘和曝光后烘烤的溫度100-140度10-30min7,顯影檢驗光刻膠鉆蝕、圖像尺寸變化、套刻對準不良、光刻膠膜損傷、線條是否齊、陡小孔、小島。


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              光刻膠存儲條件及操作防護

              光刻膠是一種可燃液體,儲存條件應符合對應的法規(guī),不要與強氧化劑混合,存放在通風良好的地方,保持容器密閉,避免吸入蒸汽或霧氣,避免接觸眼睛、皮膚或衣服,操作后徹底清洗。


              個人防護

              眼睛:佩戴化學飛濺護目鏡。

              皮膚:戴上適當的防護手套防止皮膚暴露。


              服裝:穿戴合適的防護服防止皮膚暴露。

              呼吸器:無論何時在工作環(huán)境下呼吸保護必須遵循中國職業(yè)安全健康管理局標準的規(guī)定和ANSI美國國家標準學會Z88.2的相關要求,或必須執(zhí)行歐洲呼吸防護EN 149的標準。



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