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發布時間:2021-01-20 12:04  
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PH值在蝕刻不銹鋼網片過程中充當著重要的角色:
pH值對光致抗蝕劑的性能也有重大的影響,低pH值有助于少的側蝕(較高的蝕刻系數)。
高pH值一般是針對快速蝕刻而言的。系統每天都開,但板子不是連續運行的,所以水會因揮發造成損失,但這種損失遠少于從NHOH添加液中獲得的量。所以當pH值過高時,必須增加排氣量,升高銅含量或降低補充液中的總堿度,高pH值有助于較多的銅的溶解。高pH值會產生較大的側蝕并會影響到一些光致抗蝕劑的性能,特別是水溶性光致抗蝕劑,氨水或NH4OH的添加通常是由一個pH感應控制系統自動完成的。高pH值會產生較大的側蝕并會影響到一些光致抗蝕劑的性能,特別是水溶性光致抗蝕劑,氨水或NH4OH的添加通常是由一個pH感應控制系統自動完成的。因為NH4OH含水,所以水的補加就必須保持平衡,以確保添加的水不會使氯離子或銅的濃度降低到它們的推薦值下面。
當堿性蝕刻液的pH值較高時,一些水溶性的抗蝕劑就會軟化,甚至被剝除。因此,較低的pH值可以被應用于精細線路的蝕刻。如果pH值過低,必須通過降低排氣,降低銅含量,加入氨水或增加補充液中的總堿度。溶液的pH值在銅的可溶性控制、蝕刻速率和側蝕方面非常關鍵。補充液中的NH4OH提供了大量的需要維持堿性的pH值(遠高于7.0)的基礎液,但額外需要的氨水要求達到推薦的pH值范圍(遠大于7.0)。相反,低pH值是針對慢速蝕刻的。當氨水中不含會攪亂系統平衡性的水時,氨氣在pH值的控制下會工作得很好,但使用時是相當危險的。吸塵器濾網相關蝕刻產品功能:以材料材質、產品要求的材料厚度、孔徑管控的精度要求,以及量產數量綜合評估。因此,高pH值的堿性蝕刻劑一般運用于高產率的生產。然而,對于一個給定的堿性蝕刻體系,pH值必須高于低值(依賴于銅的濃度),目的是為了維持溶液中的銅鹽含量。
不銹鋼為什么耐腐蝕?
所有金屬都和大氣中的氧氣進行反應,在表面形成氧化膜。不幸的是,在普通碳鋼上形成的氧化鐵繼續進行氧化,使銹蝕不斷擴大,終形成孔洞??梢岳糜推峄蚰脱趸慕饘伲ɡ?,鋅,鎳和鉻)進行電鍍來保證碳鋼表面,但是,正如人們所知道的那樣,這種保護僅是一種薄膜。如果保護層被破壞,下面的鋼便開始銹蝕。在鉻的添加量達到10.5%時,不銹鋼的耐腐蝕性取決于鉻,但是因為鉻是鋼的組成部分之一,所以保護方法不盡相同性能顯著增加,但鉻含量更高時,盡管仍可提高不銹鋼的耐腐蝕性,但不明顯。
不銹鋼的耐腐蝕性取決于鉻,但是因為鉻是鋼的組成部分之一,所以保護方法不盡相同。
在鉻的添加量達到10.5%時,不銹鋼的耐腐蝕性取決于鉻,但是因為鉻是鋼的組成部分之一,所以保護方法不盡相同性能顯著增加,但鉻含量更高時,盡管仍可提高不銹鋼的耐腐蝕性,但不明顯。原因是用鉻對鋼進行合金化處理時,把表面氧化物的類型改變成了類似于純鉻金屬上形成的表面氧化物。這種緊密粘附的富鉻氧化物保護表面,防止進一步地氧化。這種氧化層極薄,透過它可以看到鋼表面的自然光澤,使不銹鋼具有獨特的表面。比如某些防銹不銹鋼,像蝕刻加工過濾網、不銹鋼過濾片時就需要4min。而且,如果損壞了表層,所暴露出的鋼表面會和大氣反應進行自我修理,重新形成這種氧化物"鈍化膜",繼續起保護作用。
因此,所有的不銹鋼元素都具有一種共同的特性,即鉻含量均在10.5%以上。
"不銹鋼"一詞不僅僅是單純指一種不銹鋼,而是表示一百多種工業不銹鋼,所開發的每種不銹鋼都在其特定的應用領域具有良好的性能。成功的關鍵首先是要弄清用途,然后再確定正確的鋼種。有關不銹鋼的進一步詳細情況可參見由NiDI編制的"不銹鋼指南"軟盤。純物理性蝕刻可視為一種物理濺鍍(Sputter)方式,它是利用輝光放電,將氣體如Ar,解離成帶正電的離子,再利用偏壓將離子加速,濺擊在被蝕刻物的表面,而將被蝕刻物質原子擊出。
幸而和建筑構造應用領域有關的鋼種通常只有六種。它們都含有17~22%的鉻,較好的鋼種還含有鎳。添加鉬可進一步改善大氣不銹鋼的耐腐蝕性,特別是耐含氯化物大氣的腐蝕。
興之揚蝕刻不銹鋼網片小編來向大家說說電漿干法蝕刻中的基本物理及化學現象:
在干法蝕刻中,隨著制程參數及電漿狀態的改變,可以區分為兩種極端的性質的蝕刻方式,即純物理性蝕刻與純化學反應性蝕刻。純物理性蝕刻可視為一種物理濺鍍(Sputter)方式,它是利用輝光放電,將氣體如Ar,解離成帶正電的離子,再利用偏壓將離子加速,濺擊在被蝕刻物的表面,而將被蝕刻物質原子擊出。此過程乃完全利用物理上能量的轉移,故謂之物理性蝕刻。其特色為離子撞擊擁有很好的方向性,可獲得接近垂直的蝕刻輪廓。但缺點是由于離子是以撞擊的方式達到蝕刻的目的,因此光阻與待蝕刻材料兩者將同時遭受蝕刻,造成對屏蔽物質的蝕刻選擇比變差,同時蝕刻終點必須精準掌控,因為以離子撞擊方式蝕刻對于底層物質的選擇比很低。且被擊出的物質往往非揮發性物質,而這些物質容易再度沉積至被蝕刻物薄膜的表面或側壁。在半導體制程中純化學反應性蝕刻應用的情況通常為不需做圖形轉換的步驟,如光阻的去除等。加上蝕刻效率偏低,因此,以純物理性蝕刻方式在集成電路制造過程中很少被用到。
純化學反應性蝕刻,則是利用電漿產生化學活性極強的原(分)子團,此原(分)子團擴散至待蝕刻物質的表面,并與待蝕刻物質反應產生揮發性之反應生成物,并被真空設備抽離反應腔。因此種反應完全利用化學反應來達成,故謂之化學反應性蝕刻。此種蝕刻方式相近于濕式蝕刻,只是反應物及產物的狀態由液態改變為氣態,并利用電漿來促進蝕刻的速率。因此純化學反應性蝕刻擁有類似于濕式蝕刻的優點及缺點,即高選擇比及等向性蝕刻。實際應用中,常將耐弱腐蝕介質腐蝕的鋼稱為不銹鋼,而將耐化學介質腐蝕的鋼稱為耐酸鋼。在半導體制程中純化學反應性蝕刻應用的情況通常為不需做圖形轉換的步驟,如光阻的去除等。