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1、MOS管的原理：現階段運用普遍的絕緣層柵場效管是MOSFET（MOS管），是運用半導體材料表層的電聲效用開展工作中的。也稱之為表層場效元器件。因為它的柵極處在不導電性情況，因此 輸入電阻能夠 進一步提高，大達到105歐母，MOS管是運用柵源電壓的尺寸，來更改半導體材料表層感生電荷的是多少，進而操縱漏極電流量的尺寸。原理：

R4、C3、R5、R6、C4、D1、D2構成油壓緩沖器，和電源開關MOS管并接，使開關管電壓地應力降低，EMI降低，不產生二次穿透。在開關管Q1關閉時，變電器的原邊電磁線圈易造成頂峰電壓和頂峰電流量，這種元器件組成一起，能非常好地消化吸收頂峰電壓和電流量。從R3測出的電流量高值數據信號參加各項工作周波的pwm占空比操縱，因而是各項工作周波的電流量限定。

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