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發布時間：2020-07-30 07:58
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CDE電泳涂裝的原理：
1）被涂物表面附近由于水的電解作用導致pH升高；
2）涂料粒子失去電荷從溶液中析出并沉淀形成涂膜；
3）電泳涂裝過程伴隨電解、電泳、電沉積（凝聚）、電滲等物理化學作用。CED涂裝工藝及設備設計人員只有在弄清和熟知CED涂裝原理，電解、電泳、電沉積（凝聚）、電滲等在涂裝過程中的物理化學作用和下列相關技術（參數），才能靈活應用相關技術和打好精益設計的基礎（基本功）。4)電泳涂裝效率高，涂料損失小，涂料的利用率可達90％～95％。
1）電泳涂裝的工藝參數（電泳條件）：槽液溫度、電泳電壓、電泳時間、槽液特性（pH、電導率）及它們的相互關系；
2）槽液組成：固體分、灰分、MEQ值、庫侖效率；
3）極距、電場強度、電泳的臨界電壓、工作電壓、破壞電壓；
4）電泳涂裝時的電流、膜厚和濕漆膜電阻的變化及相互關系（見圖2）；
5）泳透力及影響泳透力的關鍵因素；
6）產生電泳漆膜弊病的原因及防治；如顆粒、縮孔、、再溶解、涂膜偏厚或偏薄、異常附著等，泳透力差、二次流痕、斑跡、外觀不良、帶電入槽階梯、涂膜剝落等10多種電泳涂裝獨有弊病的病因及防治措施；
7）通電方式：帶電入槽和入槽后通電（即工件全浸沒后通電）；帶電出槽，不分段和分段電壓供電；它們適用于何種工況；
8）電泳后清洗的功能及目的，如何防止再溶解，如何降低耗水量和減少污水排放量。如果涂裝工藝/設備設計人員欠缺上述技術知識，除能翻版設計外，就談不上靈活應用相關技術，做不到按工況和被涂物性狀進行精益設計或有所創新，勢必造成一定的生產隱患。
防止帶電入槽涂膜弊病，已有較成熟的工藝技術措施：
1）工件在入槽前保持全干或全濕，一般設置純水噴霧裝置，確保車身外表全濕；
2）工件入槽部位少布置陽極，緩解入槽時的電解反應；
3）增強入槽部位的液流，車身與液流是對向，有利于消除入槽口液面的泡沫和工件表面附著的氣體
4）輸送應平穩，消除脈動（尤其在慢速的場合）；
5）提高槽液溫度（28~33℃），降低濕涂膜的黏性，增強釋氣泡性，能消除車身前端涂膜弊病。可是槽液溫度對電泳槽液的穩定性和泳透力有影響。
鋁型材電泳工藝所需設備
⑴電泳槽。鋁型材電泳槽多設計為長方形矩形槽，基內部大小取決于裝掛吊的尺寸，槽體用4～6mm，鋼板內襯用聚或環氧玻璃鋼，需設置溢流槽。
⑵電源。直流要求0～250A任意可調，電流大小根據50A/㎡計算，約2000A/槽。電源的波紋因素一定要小于6%，其值愈大，電泳涂膜產生孔隙的幾率愈大。
⑶電極。在陽極電泳時，鋁型材作為陽極，陰極板采用不銹鋼板或鋁板，陰極面積為工件總面積的1倍。板隔膜采用聚纖維布。
⑷熱交換系統。可保證槽液溫度穩定。
⑸預配槽及自動添加系統。預配槽可完成電泳槽液的配制，以保證達到正常參數；自動添加系統，可保證補充每槽鋁型材所消耗的電泳漆的量，保證電泳槽固體份在工藝范圍之內，以確保膜厚的均一。
⑹離子交換處理（IR）系統。鋁型材 陽極電泳時，陰極pH值會不斷增加，采用離子交換樹脂系統可去除槽液中的雜質，陰、陽離子使槽液pH值穩定，若再加上反滲透裝置（RO）則可實現閉路系統。
駕駛室涂裝生產線設備
主要由前處理設備、電泳設備、底漆烘干設備、面漆噴漆烘干設備、輸送系統和電控系統等組成,在平面布置上分為前處理電泳區、打磨中轉區、面漆噴涂區三部分。
設計過程中有生產廠商反映打磨中轉場地偏緊的問題,主要原因是該公司產品主要由熱軋板及型材組成,工件表面缺陷較多。另外,涂裝生產線一般要求同時考慮機罩等其他薄板件的涂裝生產。
輸送系統是涂裝生產線的核心,目前前處理電泳段的工件輸送以自行葫蘆輸送機為主,步進式節拍生產,也有采用懸掛輸送機連續生產;電泳烘干室的輸送一般采用地面方式,根據平面布置情況可以選用立式地面鏈、環形地面鏈、滑橇等方式。
面漆涂裝線一般懸掛輸送機輸送,也可采用地面輸送方式。防止帶電入槽涂膜弊病，已有較成熟的工藝技術措施：1）工件在入槽前保持全干或全濕，一般設置純水噴霧裝置，確保車身外表全濕。前處理和電泳采用連續式生產線船形槽方式,槽體容積較節拍式生產生產線明顯增大,使得涂料投槽量和運行成本增大,投資和占地也相對較大,在滿足生產綱領的前提下,采用節拍式生產方式更符合當前工程機械行業的實際情況。
前處理及電泳設備槽體部分相對簡單,主要在配套設備方面存在較大差別,不同的配置方式對生產效率、產品質量、運行成本等方面影響較大。烘干設備應根據當地能源供應情況合理選擇,目前主要以燃氣、液化氣、丙烷氣等氣體能源為主,應優先采用直接燃燒加熱方式,提高能源利用率。目前工程機械駕駛室電泳涂裝線上輔助設備基本完善,但在槽液管理、自動檢測、設備維護等方面還需進一步加強,尤其是帶銹工件前處理不徹底對電泳底漆影響較大。
烘干設備應根據當地能源供應情況合理選擇,目前主要以燃氣、液化氣、丙烷氣等氣體能源為主,應優先采用直接燃燒加熱方式,提高能源利用率。
