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發布時間：2021-08-12 14:07
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MBR1045CT采用俄羅斯米克朗(Mikron)高抗沖擊能力芯片；其高抗沖擊性能尤為顯著，框架材質為100％純銅材料，黑膠部分采用復合材料環氧塑脂材料一次性澆鑄成型；采用臺灣健鼎的一體化測試設備，減少人工操作環節.在品質工藝上:二極管制作是使用的健鼎一體化自動生產線設備,全程工藝由電腦控制，模具更為精密完全杜絕毛刺，外觀光滑自然美觀。
UL為美國安規認證，是世界上安全試驗和鑒定機構整流橋
代表安全檢檢產品運作良率是世界上安全試驗和鑒定機構
激光打標，解決油墨絲印易掉色問題，黑膠材質是采用進口環氧塑脂材料
我司技術力量雄厚，可協同用戶研發、設計新產品，并可提供現場指導。
“誠信”是強元芯屹立于行業之本，未來，我們仍將恪守“誠信，專業，務實”的服務理念，不斷完 善創新，努力為客戶和公司同仁共創雙嬴。
編輯：DD
接下來我們將一起看一下ASEMI肖特基二極管和超快恢復二極管、快恢復二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開關二極管的性能比較。
在頻率上，肖特基二極管大于超快恢復二極管大于快恢復二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開關二極管；
在電流范圍上，肖特基二極管大于超快恢復二極管大于快恢復二極管大于硅高頻整流二極管大于硅高速開關二極管；
在耐壓限制范圍上，肖特基二極管小于超快恢復二極管小于快恢復二極管小于硅高頻整流二極管小于硅高速開關二極管；
由表可見，硅高速開關二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。
ASEMI肖特基二極管與快恢復二極管有什么區別?
這是兩種工藝的芯片技術，勢壘工藝肖特基二極管頻率比平面硅片的快恢復二極管更高，TRR參數只幾nS,基本忽略，正向導通電壓低，只零點幾伏（低自身功耗），但點壓不高，一般只能做到200V，現在ASEMI有做300V的MBR30200PT。更高的參數需求可以詳詢ASEMI在線客服。
Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極管，簡稱：SB,比如：SB107,SB1045CT……
Schottky Barrier Diode:也有簡寫為：SBD來命名產品型號前綴的。但SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。
因此，SBD也稱為金屬-半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
