全自動硫酸氨mvr蒸發(fā)器質(zhì)量好的值得信賴「在線咨詢」

分析蒸發(fā)結(jié)晶設(shè)備淘汰率不高的原因

為了鼓舞企業(yè)注重的蒸發(fā)設(shè)備和結(jié)晶設(shè)備出資運作和管理非常重要，應(yīng)該在不添加企業(yè)固定資產(chǎn)出資的國家也能夠增值，添加企業(yè)固定資產(chǎn)的數(shù)量被答應(yīng)顯現(xiàn)增強物質(zhì)技術(shù)根底。這里是企業(yè)起著主導作用，那么蒸發(fā)結(jié)晶設(shè)備部，因而，誰就能使企業(yè)現(xiàn)已蒸發(fā)結(jié)晶設(shè)備固定資產(chǎn)的添加，首要決策者和管理人員應(yīng)給予獎賞。國家加速技術(shù)型企業(yè)的腳步，新增固定資產(chǎn)的要求，交付運用，趕快交付運用的統(tǒng)計數(shù)據(jù)(1982年74.4%)。在其它防垢措施方面，我們換熱管采用內(nèi)壁拋光管，降低了晶體掛壁的可能性。關(guān)于企業(yè)來說，晉級的成果能夠在很大的蒸發(fā)結(jié)晶設(shè)備固定資產(chǎn)凈值(率)凈增長程度時，還能夠運用一年的凈值本年和原始值的份額的改變。全自動硫酸氨mvr蒸發(fā)器質(zhì)量好的,全自動硫酸氨mvr蒸發(fā)器質(zhì)量好的

三元體系相平衡測定方法

1.  三元體系相平衡測定方法

和二元類似，但是由于平衡固相可能存在一種、兩種，所以在確定平衡固相時，大多采用濕渣法和合成復體法。1）濕渣法是基于：在相，一個復體點應(yīng)該位于聯(lián)結(jié)他的液相和固相兩狀態(tài)點的直線上。若果固體夾帶母液，其濕渣組成必定要落在平衡固相和液相的聯(lián)線之上，所以通過將液相組成和過濾后含有母液的濕渣組成聯(lián)線進行相連并外延到固相邊界，即可確定固相組成。2）合成復體法和濕渣法類似，只不過預先配置一定組成的復體，當達到固液平衡時，液相線和復體線相聯(lián)并外延也可以確地平衡固相組成。2．采用獨特設(shè)計的結(jié)晶器，能滿足連續(xù)進料，連續(xù)排料的工藝要求，蒸發(fā)器的強制循環(huán)形成了的配合，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)使得晶體和清液得到有效的快速分離。但需要測定過程中，保證復體組成不變，即不能有溶劑揮發(fā)脫離體系。這樣才能保證結(jié)果的可靠性。全自動硫酸氨mvr蒸發(fā)器質(zhì)量好的

結(jié)晶蒸發(fā)器設(shè)備新工藝流程講述

1.  換熱器的物料性質(zhì)。物料和設(shè)備特性匹配好，當然是可用的。

2.  過飽和度控制在介穩(wěn)區(qū)以內(nèi)：對于晶體生長，必須嚴格控制過飽和度的產(chǎn)生和消除。也就是說，將操作保持在介穩(wěn)區(qū)域。對于大多數(shù)產(chǎn)品，可以根據(jù)溶解度和溫度的關(guān)系，粗略控制在過冷度為△T=1-3℃或“允許過冷度”的一半。溶液濃度/飽和濃度=1.02-1.05。若以氯化鈉產(chǎn)品來估算，循環(huán)物料和進料之比約在100-200:1之間。△C=P/Q，P-晶體產(chǎn)品產(chǎn)量kg/h,Q-循環(huán)泵流量，m3/h, △C-過飽和度，kg/m3。強烈建議自己試驗測定介穩(wěn)區(qū)寬度，介穩(wěn)區(qū)寬度分為初級成核和二次成核介穩(wěn)區(qū)寬度，工業(yè)化中，主要考慮是二次成核介穩(wěn)區(qū)寬度。文獻上發(fā)表的大多是初級成核介穩(wěn)區(qū)寬度，工業(yè)化過程介穩(wěn)區(qū)寬度控制在初級成核介穩(wěn)區(qū)寬度的10%-30%之間。5．設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊、占地面積小，布局流暢、操作方便、性能穩(wěn)定等。一般情況下，含有結(jié)晶水的介穩(wěn)區(qū)寬度比無水的無機物要寬，有機物系比有機物系寬。過飽和度不僅僅有大小，還有分布。尤其注意混合、換熱界面、攪拌槳葉附近等過飽和度的大小，機械混合可以減小亞穩(wěn)區(qū)的寬度。

3.  控制過飽和度水平，使過飽和度主要以生長的方式消耗，避免初級成核，控制二次成核。通常成核晶體的大小為0.1到10微米。

4.  避免清液開車。開車時，加入晶種。比如加入產(chǎn)品量的10%的細晶種。

5.  晶體生長速率：溶液結(jié)晶大約在0.1-0.8 mm/h ，熔融結(jié)晶比溶液結(jié)晶快1到2個數(shù)量級。對于大多數(shù)系統(tǒng)來說，10-7m/s的增長速率發(fā)生在30℃左右，但對于NaCl來說，這個速率直到70℃才會出現(xiàn)。例如，在10-7m/s的生長速度下，晶體在3小時內(nèi)生長到2 mm；如果生長速度為10-9m/s，則晶體生長到2 mm需要10天。減緩換熱面污垢形成的速度，提高了傳熱效率，延長了設(shè)備連續(xù)運行的時間，降低了設(shè)備清洗的次數(shù)。

6.  過度混合通常會抑制生長。由于晶體撞擊泵和混合器葉輪的二次“接觸成核”，混合也會影響晶粒尺寸分布CSD，特別是在反應(yīng)結(jié)晶中。全自動硫酸氨mvr蒸發(fā)器質(zhì)量好的