便攜式IGBT測試儀批發(fā)量大從優(yōu)【華科智源】

IGBT半導體器件測試系統(tǒng)的主要應(yīng)用領(lǐng)域概括如下：

?半導體元器件檢測中心——應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可擴大檢測中心的檢測范圍、提高檢測效率，提升檢測水平，增加經(jīng)濟效益；

?半導體元器件生產(chǎn)廠 —— 應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可對半導體元器件生產(chǎn)線的成品進行全參數(shù)的測試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的合格率；

?電子電力產(chǎn)品生產(chǎn)、檢修廠——應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可對所應(yīng)用到的半導體元器件，尤其對現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

?航天、領(lǐng)域 ——— 應(yīng)用本公司測試系統(tǒng)可對所應(yīng)用到的元器件，尤其對現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進行智能化測試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

3、系統(tǒng)基本參數(shù)

3.1 電 壓 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；

3.2 加熱功能：室溫～150℃；

3.3 測試功能：可測試IGBT模塊及FRD；

3.4 環(huán)境溫度：25℃±15℃；

3.5 環(huán)境濕度：50% ±20% （相對濕度）

4、動態(tài)測試基本配置

4.1 集電級電壓 Vcc： 50 ~ 1000V；

4.2 集電極電流 Ic： 50 ~ 1000A 感性負載；

4.3 電流持續(xù)時間 It： 10 ~ 1000 us 單個脈沖或雙脈沖的總時間； 4.4 脈 沖 模 式： 單脈沖和雙脈沖；

4.5 單電流脈沖的設(shè)置： Vcc，Ic, 電感值（自動計算脈寬）；

4.6 雙電流脈沖的設(shè)置： Vcc, Ic, 電感值，間隙時間（10到50us）(脈寬自動計算)；

（開啟Qrr測試：第二個脈寬＝間隙時間，10~50us）；

4.7 設(shè)備寄生電感 Lint: < 65nH（感性動態(tài)測試）。

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試部分主要材料技術(shù)要求 1）閾值電壓測試電路 閾值電壓測試電路（僅示出IEC標準測試電路） ?滿足表格9測試參數(shù)要求 ?低壓開關(guān)電源要求：Vcc=12V (針對上圖電路) ?4)濕度：20%RH至90%RH(無凝露，濕球溫度計溫度:40℃以下)。可調(diào)電源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V ?集電極電流測試電路精度：10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA； 2）集射極截止電壓/集射極截止電流測試電路 集射極截止電壓/發(fā)射極截止電流測試電路 ?高壓充電電源：10~2kV連續(xù)可調(diào) ?支撐電容：額定電壓2kV ?集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA ?集電極電壓VCES：200～1500V±2%±1V