安徽TTL輸出電壓可調振蕩器報價在線咨詢「晶宇興」

鎖相環電路中壓控振蕩器的SET響應研究

空間輻射環境中的鎖相環在SET作用下,將產生頻率或相位偏差,甚至導致振蕩中止,造成通信或功能中斷。壓控振蕩器是鎖相環中的關鍵電路,也是對SET敏感的部件之一。本文基于工藝校準的器件模型,采用TCAD混合模擬的方法,針對180nm體硅CMOS工藝下高頻鎖相環中的壓控振蕩器,研究了偏置條件、入射粒子的能量以及溫度對壓控振蕩器SET響應的影響,通過分析失效機理,以指導抗輻照壓控振蕩器的設計。研究結果表明,當器件工作在截止區時,入射粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差小;壓控振蕩器的輸出時鐘錯誤脈沖數隨著入射粒子LET的增加而線性增加;隨著器件工作溫度的升高,轟擊粒子引起壓控振蕩器輸出時鐘的相位差也是增大的。

如何選擇壓控晶體振蕩器？

有源石英晶體振蕩器分為普通振蕩器，溫補振蕩器TCXO，壓控振蕩器VCXO，恒溫振蕩器OCXO等等，從使用數量來看普通振蕩器和溫補振蕩器可觀，一個代表通用型，一個代表頻率高精度型；而壓控和恒溫市場需求相對較少，但是從選型難易程度看，恒溫雖然代表著更高的技術要求，很多指標要求從設計上已經達到標準，所以在選擇上相對簡單，而壓控晶振它牽涉到更多的性能指標，不同性能指標其用法及成本均有很大的差異，所以在這里對壓控晶振的選型做相關的介紹 。

一種具有溫度補償效應的環形振蕩器設計

介紹了一種基于O.35μm標準CMOS工藝實現的三級差分環形壓控振蕩器。結果表明,2.5V電源電壓供電時,振蕩器中心頻率為315MHz,工作電流為330uA,電路功耗僅為825uW。溫度范圍為一30~80℃,輸出頻率的中心頻率為295~328MHz,頻率變化小于1000ppm。本設計可極大的改善由于溫度引起的振蕩器頻率嚴重變化的影響,可應用于鎖相環和頻率綜合器設計中。

壓控振蕩器的封裝方式

北京晶宇興科技有限公司是集研發、生產及銷售為一體的石英晶體、晶振等頻率控制器件的公司。

壓控振蕩器（VCO）是許多可調通信、無線電、雷達、傳感和測量系統的關鍵元件。VCO本質上是由輸入電壓（通常為模擬電壓）控制的振蕩器。

封裝方式

VCO采用多種封裝形式，通常采用表面貼裝封裝或同軸連接封裝。通常采用堅固及氣密性封裝，或者專門針對惡劣環境和滿足高可靠性標準（工業、商業或軍事用途）進行封裝。因此，電鍍和封裝材料/技術通常滿足軍事標準規定，能夠達到相關的運行溫度范圍、濕度、沖擊和振動要求。