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晶體諧振器與晶體振蕩器的區(qū)別

1，晶體振蕩器的厚度總是高于晶體諧振器。因為晶體振蕩器內部直接置入起振芯片，無需外部元器件幫助起振，自身可以直接起振。

2，由于晶體振蕩器可以依靠自身起振，因此在電子行業(yè)歸類為主動元器件，而晶體諧振器需要依靠外部電容電阻起振，稱之為被動元器件。

3，晶體振蕩器種類復雜繁多，可分為以下幾種：普通振蕩器（SPXO）；溫補振蕩器（TCXO）；壓控振蕩器（VCXO），壓控溫補振蕩器（VC-TCXO）；恒溫振蕩器（OCXO）。而晶體諧振器只有一種，就是自身。

4，晶體振蕩器的精度高于晶體諧振器，因此兩者論性能穩(wěn)定度，莫屬晶體振蕩器出眾。晶體振蕩器中的溫補振蕩器較高精度可達到0.5ppm，晶體諧振器較高精度只能做到5ppm，且為DIP封裝，SMD封裝較高精度僅僅只有10PPM。

5，無疑，晶體振蕩器的成本高于晶體諧振器。

其次，晶體與晶振弄混會導致哪些誤會。從上文的分析中我們可以得出結論，被動與主動的焊接電路是完全不同的，因晶體振蕩器無需外接電容，晶體諧振器需外接電容電阻，如若兩者混淆采購，電路將無法正常起振。

選擇振蕩器時需要考慮哪些因素

選擇振蕩器時需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時只需不到2mA的電流。在特定的應用場合優(yōu)化時鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。

如何區(qū)分晶體和晶振？

晶體通常為兩腳和四腳晶振，以2520晶振，3225晶振，5032晶振等一類晶振而言，它們都擁有兩腳或者四腳的封裝，晶振為四腳或者四腳以上的，這里可以肯定的一點，兩腳的一定為晶體。那當遇到都是四腳的貼片晶振，如何區(qū)分晶體和晶振呢？如果晶體或者晶振在電路板上，我們只需觀察晶振的外部電路是否有其它元器件的連接，如若無，則為晶振（有源晶振）。如果用肉眼觀察，簡單而有力的一點則是觀察晶振的厚度，一般的晶體厚度均在0.45mm左右，而由于晶振技術內置起振芯片，因此晶振的厚度要比晶體高。

石英晶體振蕩器的發(fā)展趨勢

1、小型化、薄片化和片式化：為滿足移動電話為代表的便攜式產(chǎn)品輕、薄、短小的要求，石英晶體振蕩器的封裝由傳統(tǒng)的裸金屬外殼覆塑料金屬向陶瓷封裝轉變。例如TCXO這類器件的體積縮小了30～100倍。采用SMD封裝的TCXO厚度不足2mm，目前5×3mm尺寸的器件已經(jīng)上市。

2、高精度與高穩(wěn)定度，目前無補償式晶體振蕩器總精度也能達到±25ppm，VCXO的頻率穩(wěn)定度在10～7℃范圍內一般可達±20～100ppm，而OCXO在同一溫度范圍內頻率穩(wěn)定度一般為±0.0001～5ppm，VCXO控制在±25ppm以下。