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LED芯片材料磊晶種類(lèi)

1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs

3.MOVPE：metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機(jī)金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN

4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結(jié)構(gòu))GaAlAs/GaAs

5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(雙異型結(jié)構(gòu)) GaAlAs/GaAs

6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(雙異型結(jié)構(gòu)) GaAlAs/GaAlAs

LED模組就是把LED（發(fā)光二極管）按一定規(guī)則排列在一起再封裝起來(lái)，加上一些防水處理組成的產(chǎn)品。就是LED模組。

按密封性又可以分為防水和不防水兩種。防水和不防水的模組主要是看應(yīng)用環(huán)境來(lái)區(qū)分的，一般防水的LED模組可以運(yùn)用于戶外照明和宣傳使用，它不會(huì)因?yàn)檫M(jìn)水而發(fā)生問(wèn)題，更適合惡劣的環(huán)境應(yīng)用，而不防水模組則主要是室內(nèi)用的比較多。

按照LED的形狀LED模組分為：直插式LED模組，食人魚(yú)LED模組，貼片LED模組。

   國(guó)家對(duì)ＬＥＤ產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也給予了大力支持。２００６年，根據(jù)我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀，有關(guān)部門(mén)制定半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃和２００６年技術(shù)發(fā)展路線圖提出，對(duì)于ＬＥＤ芯片的投資將占ＬＥＤ產(chǎn)業(yè)投資的２０％，研究重點(diǎn)將放在ＧａＮ芯片的生產(chǎn)以及功率芯片的研發(fā)上。

   雖然擁有極大的市場(chǎng)需求并得到有關(guān)部門(mén)的大力支持，但不可否認(rèn)的是，現(xiàn)階段ＬＥＤ芯片產(chǎn)業(yè)仍然存在核心技術(shù)缺乏、人才短缺、產(chǎn)品質(zhì)量不高、設(shè)備自主生產(chǎn)能力弱等發(fā)展困境。如何解決上述問(wèn)題是我國(guó)ＬＥＤ產(chǎn)業(yè)能否持續(xù)健康快速發(fā)展的關(guān)鍵。

   王瑩認(rèn)為，ＬＥＤ芯片產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展將助推ＬＥＤ產(chǎn)業(yè)整體升級(jí)。在ＬＥＤ芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展過(guò)程中，早期產(chǎn)品主要以普通亮度芯片為主，生產(chǎn)廠商也只有南昌欣磊等少數(shù)幾家。２００３年以后，以廈門(mén)三安、大連路美為代表的芯片生產(chǎn)企業(yè)針對(duì)芯片市場(chǎng)的需求，紛紛把產(chǎn)品重點(diǎn)集中到高亮度芯片上，直接帶動(dòng)了高亮度芯片產(chǎn)量的快速增長(zhǎng)。一時(shí)間，國(guó)內(nèi)掀起了ＬＥＤ芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的熱潮，高亮度芯片成為ＬＥＤ芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的主要推動(dòng)力。２００６年，我國(guó)ＬＥＤ芯片產(chǎn)量達(dá)到３０９．３億個(gè)，產(chǎn)值達(dá)到１１．９億元。

   隨著ＬＥＤ芯片生產(chǎn)企業(yè)的不斷增多，ＬＥＤ芯片產(chǎn)值的增長(zhǎng)速度一直高于封裝環(huán)節(jié)，導(dǎo)致芯片產(chǎn)值在我國(guó)ＬＥＤ產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值中所占比重不斷提升，由２００２年的５．４％上升至２００６年的１１．３％。由此可見(jiàn)，我國(guó)ＬＥＤ產(chǎn)業(yè)正在由低端走向，向附加值更高、更具核心價(jià)值的芯片環(huán)節(jié)邁進(jìn)。

   據(jù)王瑩預(yù)測(cè)，２００８年高亮度芯片產(chǎn)量將超過(guò)普通亮度芯片，ＬＥＤ芯片產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高亮度時(shí)代。在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，企業(yè)將會(huì)把投資重點(diǎn)放在高亮度芯片的生產(chǎn)上。