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發布時間：2021-01-11 04:07
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氧化鎂的熔點在2800°C以上，沸點為3600°C，所以要想得到大尺寸、高純度的氧化鎂單晶，對原料的選擇和控制要求非常嚴格。其次，要得到生長完1美、大尺寸的高質量晶體，整個冶煉過程非常耗時耗能，將長達幾十個小時。在這個過程中如何調整控制電流和電壓，使冶煉過程能夠安全穩定運行，電控系統承擔了zui艱巨的任務。
氧化鎂(MgO)晶體屬于氧化鎂高1端產品中的高1級產品，科技含量高，附加值大。因此高質量氧化鎂(MgO)晶體產品的研制和生產，對開發我國特有的資源優勢有著十分重要的意義。具有巖鹽晶體結構的MgO是一種寬禁帶氧化物絕緣體，帶隙Eg為7.8 eV。優良的絕緣性、熱傳導性、熱穩定性等特點使得MgO具有十分廣泛的應用。氧化鎂(MgO)不僅可以作為催化劑、抗1菌劑，還可作為傳感材料、電器絕緣材料等，并且可以用作磁隧道結的絕緣層。
氧化鎂（MgO）是極1好的單晶基片而廣泛應用于制作鐵電薄膜、磁學薄膜、光電薄膜和高溫超導薄膜等，由于它在微波波段的介電常數和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2英吋及更大），所以是當前產業化的重要高溫超導薄膜單晶基片之一。
主要性能參數 尺寸：10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm；厚度：0.5mm，1.0mm；拋光：單面或雙面；晶向：<001>±0.5o；晶面定向精度:±0.5°；邊緣定向精度:2°（特殊要求可達1°以內）；斜切晶片：可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片；Ra:≤5A（5μm×5μm）。
一種氧化鎂晶體粉制備方法,使用高純氧化鎂為原料,采用球磨水化獲得漿體,球磨水化的用水量與氧化鎂的重量比大于1:2,水化溫度在50～100℃之間;球磨水化過程中需要加入表面活性劑.在100～150℃之間對漿體進行干燥,燒結溫度1600～1750℃,停留2～30小時;燒結后降溫速率為20～100℃每小時,400℃后自然降溫燒結后降溫。后將所得物料粉粹來獲得氧化鎂晶體粉。
