蘇州中頻離子鍍膜機(jī)廠家歡迎來電「至成真空科技」

真空鍍膜機(jī)磁控濺射主要工藝流程：

1、基片清洗，主要是用蒸汽清洗，隨后用乙醇浸泡基片后快速烘干，以去除表面油污；

2、抽真空，真空須控制在2×104Pa以上，以保證薄膜的純度；

3、加熱，為了除去基片表面水分，提高膜與基片的結(jié)合力，需要對基片進(jìn)行加熱，溫度一般選擇在150℃~200℃之間；

4、Ar氣分壓，一般選擇在0.01~1Pa范圍內(nèi)，以滿足輝光放電的氣壓條件；

5、預(yù)濺射，預(yù)濺射是通過離子轟擊以除去靶材表面氧化膜，以免影響薄膜質(zhì)量；

6、濺射，Ar氣電離后形成的正離子在正交的磁場和電場的作用下，高速轟擊靶材，使濺射出的靶材粒子到達(dá)基片表面沉積成膜；

7、退火，薄膜與基片的熱膨脹系數(shù)有差異，結(jié)合力小，退火時薄膜與基片原子相互擴(kuò)散可以有效提高粘著力。

真空鍍膜機(jī)磁控濺射鍍膜的特點：薄膜純度高，致密，厚度均勻可控制，工藝重復(fù)性比較好，附著力強(qiáng)。

依據(jù)濺射源的不同，真空鍍膜機(jī)磁控濺射有直流和射頻之分，兩者的主要區(qū)別在于氣體放電方式不同，真空鍍膜機(jī)射頻磁控濺射利用的是射頻放電，陶瓷產(chǎn)品使用的是射頻磁控濺射鍍。

真空PVD鍍膜涂層工藝?yán)鋮s如何進(jìn)行？

1.高閥關(guān)閉，真空計關(guān)閉，真空室與泵組隔離；

2.當(dāng)操作人員按下N2vent按鈕，預(yù)先接好的氮氣會通過N2充氣閥充入真空室，當(dāng)真空室內(nèi)的壓力達(dá)到壓力開關(guān)預(yù)設(shè)的壓力時，N2充氣閥關(guān)閉。

3.真空室內(nèi)充入了大量N2，真空度很低，更加有利于熱傳導(dǎo)，所以降溫速度比不充冷卻N2時快很多，縮短冷卻時間，提高生產(chǎn)效率，實際冷卻時間可由原來的90分鐘縮短為60分鐘。

4.由于氦氣的熱傳導(dǎo)率更高，所以充入冷卻氦氣比氮氣降溫速度更快，但是成本也更高。

5.國外設(shè)備快速冷卻程序，通過冷卻氣體的循環(huán)冷卻，能縮短冷卻時間50%。

為什么要進(jìn)行壓升率測試？

真空環(huán)境條件是影響終涂層質(zhì)量重要的因素。鍍膜前，必須進(jìn)行壓升率測試，以保證真空環(huán)境條件滿足鍍膜標(biāo)準(zhǔn)。

怎樣進(jìn)行壓升率測試？

在我們的自動鍍膜工藝中，壓升率測試是自動進(jìn)行。當(dāng)真空室內(nèi)真空度達(dá)到工藝設(shè)定的本底真空后，進(jìn)入壓升率測試步驟。

系統(tǒng)會自動關(guān)閉高閥，此時真空室與泵組隔離，真空室內(nèi)壓力會升高。在一定時間內(nèi)（一般1分鐘），如果壓力不超過設(shè)定的報警值，系統(tǒng)會自動進(jìn)行下一步程序，進(jìn)入鍍膜步驟。如果壓力超過設(shè)定的報警值，系統(tǒng)會有報警提示，此時，操作人員應(yīng)按照操作流程，再次進(jìn)行抽真空和加熱烘烤，然后重復(fù)進(jìn)行壓升率測試，直至壓升率滿足鍍膜條件。

采用PVD鍍膜技術(shù)鍍出的膜層有什么優(yōu)勢

采用PVD鍍膜技術(shù)鍍出的膜層，具有高硬度、高耐磨性（低摩擦系數(shù)）、很好的耐腐蝕性和化學(xué)穩(wěn)定性等特點，膜層的壽命更長；同時膜層能夠大幅度提高工件的外觀裝飾性能。PVD膜層能直接鍍在不銹鋼、硬質(zhì)合金上、鈦合金、陶瓷等表面，對鋅合金、銅、鐵等壓鑄件應(yīng)先進(jìn)行化學(xué)電鍍鉻，然后才適合鍍PVD。PVD鍍膜技術(shù)是一種能夠真正獲得微米級鍍層且無污染的環(huán)保型表面處理方法，它能夠制備各種單一金屬膜（如鋁、鈦、鋯、鉻等）、氮化物膜（TiN[鈦金]、ZrN〔鋯金〕、CrN、TiAlN）和碳化物膜（TiC、TiCN），以及氧化物膜（如TiO等）。PVD鍍膜膜層的厚度為微米級，厚度較薄，一般為0.1μm～5μm，其中裝飾鍍膜膜層的厚度一般為0.1μm~2μm，因此可以在幾乎不影響工件原來尺寸的情況下提高工件表面的各種物理性能和化學(xué)性能，并能夠維持工件尺寸基本不變，鍍后不須再加工。

多弧離子真空鍍膜機(jī)鍍膜技術(shù)具有以下特點：可以任意安裝使薄膜均勻。外加磁場可以改善電弧放電；使電弧細(xì)碎；旋轉(zhuǎn)速度加快；細(xì)化膜層微粒；對帶電粒子產(chǎn)生加速作用。金屬離化率高，有利于薄膜的均勻性和提高附著力，是實現(xiàn)離子鍍膜的良好工藝。一弧多用，既是蒸發(fā)源，又是預(yù)轟擊凈化源和離化源。