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發(fā)布時(shí)間：2020-10-30 04:16
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（1）化學(xué)氣相沉積（CVD）反應(yīng)溫度一般在900~1200℃，中溫CVD例如MOCVD（金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積），反應(yīng)溫度在500~800℃。若通過(guò)氣相反應(yīng)的能量，還可把反應(yīng)溫度降低。
“輔助”CVD的工藝較多，主要有：
① 電子輔助CVD（EACVD）（也稱為電子束輔助CVD，電子增強(qiáng)CVD，或電子束誘導(dǎo)CVD），涂層的形成在電子作用下得到改進(jìn)。
② 激光輔助CVD（LACVD)，也稱為激光CVD或光子輔助CVD，涂層的形成在激光輻照作用下得到改進(jìn)。
③ 熱絲CVD，也稱為熱CVD，一根熱絲放在被鍍物件附近進(jìn)行沉積。
④ 金屬有機(jī)化合物CVD（MOCVD），是在一種有機(jī)金屬化合物氣氛（這種氣氛在室溫時(shí)是穩(wěn)定的，但在高溫下分解）中進(jìn)行沉積。
PCVD的工藝裝置由沉積室、反應(yīng)物輸送系統(tǒng)、放電電源、真空系統(tǒng)及檢測(cè)系統(tǒng)組成。氣源需用氣體凈化器除往水分和其它雜質(zhì)，經(jīng)調(diào)節(jié)裝置得到所需要的流量，再與源物質(zhì)同時(shí)被送進(jìn)沉積室，在一定溫度和等離子體等條件下，得到所需的產(chǎn)物，并沉積在工件或基片表面。所以，PCVD工藝既包括等離子體物理過(guò)程，又包括等離子體化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。
物理氣相沉積（PVD）工藝已經(jīng)有100多年的歷史了，等離子輔助PVD大約在80年前就申請(qǐng)了專利。術(shù)語(yǔ)“物理氣相沉積”僅在60年代出現(xiàn)。當(dāng)時(shí)，需要通過(guò)發(fā)展眾所周知的技術(shù)來(lái)發(fā)展真空鍍膜工藝，例如濺射，真空，等離子體技術(shù)，磁場(chǎng)，氣體化學(xué)，熱蒸發(fā)，弓形和電源控制，如Powell的書(shū)中詳細(xì)描述的。在過(guò)去的30年中，等離子輔助PVD（PAPVD）被分為幾種不同的電源技術(shù)，例如直流（DC）二極管，三極管，射頻（RF），脈沖等離子體，離子束輔助涂層等。，該過(guò)程在基本理解上存在一些困難，因此引入了必要的更改以提供好處，例如從涂層到基材的出色附著力，結(jié)構(gòu)控制以及低溫下的材料沉積。
