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發布時間：2021-09-21 00:12
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為何老化的元件必須盡早發現及盡早更換？
當功率元件老化時，元件的內阻在導通時必定會加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。長期使用后若溫升過高時，會使元件在關閉時的漏電流急遽升高。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進而使半導體的接口產生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。當元件損毀時，會連帶將其驅動電路上的元件或與其并聯使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發現更換。出廠調試結束、出廠前預驗收完成后，賣方將為每個柜子量身定做包裝柜，保證包裝堅固，能適應中國境內公路、鐵路運輸，并兼顧設備在現場保存時間的要求。
欲測知元件老化，所須提供的測量范圍為何？150～3300VIc集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A。 當大功率元件在作導通參數的測試時，電流必須大到其所能承受的正常工作值，同時，在作關閉參數的漏電流測試時，電壓也必須夠高，以元件在真正工作狀態下的電流與電壓，如此其老化的程度才可顯現。當這兩個參數通過后，便表示元件基本上良好，再進一步作其他參數的測量，以分辨其中的優劣。建議進行高溫測試，模擬器件使用工況，更為準確的判斷器件老化程度。
靜態及動態測試系統 技術規范 供貨范圍一覽表 序號 名稱 型號 單位 數量 1 半導體靜態及動態測試系統 HUSTEC-2010 套 1 1范圍 本技術規范提出的是限度的要求，并未對所有技術細節作出規定，也未充分引述有關標準和規范的條文，供貨方應提供符合工業標準和本技術規范的產品。本技術規范所使用的標準如遇與供貨方所執行的標準不一致時，應按較高標準執行。1mJ50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、開通電流上升率di/dt測量范圍：200-10000A/uS 6、開通峰值功率Pon：10W～250kW。
IGBT靜態參數測試部分主要材料技術要求 1）閾值電壓測試電路 閾值電壓測試電路（僅示出IEC標準測試電路） ?滿足表格9測試參數要求 ?低壓開關電源要求：Vcc=12V (針對上圖電路) ?可調電源：0.1～10V±1%±0.01V；分辨率0.01V ?集電極電流測試電路精度：10～50mA±1%±0.5mA； 50～200mA±1%±1mA；200～1000mA±1%±2mA；1000～2000mA±1%±5mA； 2）集射極截止電壓/集射極截止電流測試電路 集射極截止電壓/發射極截止電流測試電路 ?高壓充電電源：10~2kV連續可調 ?支撐電容：額定電壓2kV ?以下參數的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅動回路參數下進行。集電極電流ICES：0.01～1mA±3%±0.001mA；1～10mA±2%±0.01mA；10～30mA±1%±0.1mA；30～300mA±1%±0.1mA ?集電極電壓VCES：200～1500V±2%±1V
