等離子化學(xué)氣相沉積設(shè)備廠家價(jià)格合理,沈陽鵬程真空技術(shù)

化學(xué)氣相沉積產(chǎn)品概述

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1、適用范圍：適合于各單位實(shí)驗(yàn)室、高等院校實(shí)驗(yàn)室、教學(xué)等的項(xiàng)目科研、產(chǎn)品中試之用。

2、產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)及特點(diǎn)：應(yīng)用于半導(dǎo)體薄膜、硬質(zhì)涂層等薄膜制備，兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。

3、主要用途：主要用來制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導(dǎo)體及金屬膜。

化學(xué)氣相沉積法簡介

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化學(xué)氣相堆積(簡稱CVD)是反響物質(zhì)在氣態(tài)條件下發(fā)生化學(xué)反響，生成固態(tài)物質(zhì)堆積在加熱的固態(tài)基體外表，進(jìn)而制得固體資料的工藝技術(shù)。它本質(zhì)上歸于原子領(lǐng)域的氣態(tài)傳質(zhì)進(jìn)程。

化學(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機(jī)資料的新技術(shù)。化學(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研發(fā)新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機(jī)薄膜資料。刻蝕腔的主要組成有：上電極、ICP射頻單元、RF射頻單元、下電極系統(tǒng)、控溫系統(tǒng)等組成。這些資料可所以氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可所以III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，并且它們的物理功用能夠通過氣相摻雜的淀積進(jìn)程準(zhǔn)確操控。現(xiàn)在，化學(xué)氣相淀積已成為無機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的主要過程

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等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）技術(shù)是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。被檢測的波長可能會(huì)有兩種變化趨式：一種是在刻蝕終點(diǎn)時(shí)，反應(yīng)物所發(fā)出的光線強(qiáng)度增加。由于PECVD技術(shù)是通過應(yīng)氣體放電來制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式。一般說來,采用PECVD技術(shù)制備薄膜材料時(shí)，薄膜的生長主要包含以下三個(gè)基本過程：

首先，在非平衡等離子體中，電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級(jí)反應(yīng)，使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團(tuán)的混合物；

其二，各種活性基團(tuán)向薄膜生長表面和管壁擴(kuò)散輸運(yùn)，同時(shí)發(fā)生各反應(yīng)物之間的次級(jí)反應(yīng)；

然后，到達(dá)生長表面的各種初級(jí)反應(yīng)和次級(jí)反應(yīng)產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應(yīng)，同時(shí)伴隨有氣相分子物的再放出。