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正壓法氦質譜檢漏

采用正壓法檢漏時，需對被檢產品內部密封室充入高于一個大氣壓力的氦氣，當被檢產品表面有漏孔時，氦氣就會通孔漏孔進入被檢外表面的周圍大氣環境中，再采用吸槍的方式檢測被檢產品周圍大氣環境中的氦氣濃度增量，從而實現被檢產品泄漏測量。按照收集氦氣方式的不同，又可以將正壓法分為正壓吸槍法和正壓累積法。按照施漏氣體方法的不同，又可以將真空法分為真空噴吹法和真空氦罩法。其中正壓吸槍法采用檢漏儀吸槍對被檢產品外表面進行掃描探查，可以實現漏孔的; 正壓累積法采用有一定密閉功能的氦罩將被檢產品全部罩起來，采用檢漏儀吸槍測量一定時間段前后的氦罩內氦氣濃度變化量，實現被檢產品總漏率的測量。

正壓法的優點是不需要輔助的真空系統，可以，實現任何工作壓力下的檢測。

正壓法的缺點是檢測靈敏度較低，檢測結果不確定度大，受測量環境條件影響大。

正壓法的檢測標準主要有QJ3089-1999《氦質譜正壓檢漏方法》、QJ2862-1996《壓力容器焊縫氦質譜吸槍罩盒檢漏試驗方法》，主要應用于大容積高壓密閉容器產品的檢漏，如高壓氦氣瓶、艙門檢漏儀等。

充注檢漏氣體前，試件必須抽空

為正確試漏，在充注檢漏氣體前將試件預抽空是完全必要的，特別是對幾何形狀長和窄的試件尤為重要。如果充注前未抽空，試件中的空氣將被擠壓至幾何空間的終端，而檢漏氣體不可能進入這個部位，從而潛在的漏孔將僅釋放空氣，檢漏儀則不能檢測到這些漏孔。

如果采用低壓力的檢漏氣體充注試件，抽空也是特別重要的，因為試件中殘留的空氣將稀釋充注的檢漏氣體。例如：如果試件中殘留大氣壓空氣，充注添加一個大氣壓的檢漏氣體后，試件中的檢漏氣體濃度便降為50%，而如果充注添加兩個大氣壓的檢漏氣體，檢漏氣體濃度則為66%。檢漏儀給出的漏率值為測量漏率，需要通過換算公式計算出被檢產品的等效標準漏率。

試漏壓力與運行過程中受到的較大壓力相同

許多密封件是在一定的壓力閾值下出現泄漏。如果未在運行過程的壓力下試漏，那么一些漏孔則不宜檢測出來。因此，在測漏過程中采用較高的測試壓力，可有效檢測出在實際運行中未出現的漏孔。

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氦氣在在半導體中的檢漏作用

為了防止半導體器件、集成電路等元器件的表面因玷污水汽等雜質而導致性能退化，就必須采用管殼來密封。但是在管殼的封接處或者引線接頭處往往會因為各種原因而產生一些肉眼難以發現的小洞，所以在元器件封裝之后，就需要采取某些方法來檢測這些小洞的存在與否。 氦氣檢漏就是采用氦氣來檢查電子元器件封裝管殼上的小漏洞。正壓法的優點是不需要輔助的真空系統，可以，實現任何工作壓力下的檢測。因為氦原子的尺寸很小，容易穿過小洞而進入到管殼內部，所以這種檢測方法能夠檢測出尺寸很小的小洞（即能夠檢測出漏氣速率約為10?11～10?12cm3/sec的小洞），靈敏度可與性檢漏方法匹敵，但要比性檢漏方法簡便。

氦氣檢漏試驗的方法：首先把封裝好的元器件放入充滿氦氣的容器中，并加壓，讓氦氣通過小洞而進入管殼中；然后取出，并用壓縮空氣吹去管殼表面的殘留氦氣；接著采用質譜儀來檢測管殼外表所漏出的氦氣。