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發布時間：2021-09-17 14:29
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微弧氧化
微弧氧化又稱等離子體電解氧化、微等離子體氧化等，是通過電解液與相應電參數的組合，在鋁、鎂、鈦等金屬及其合金表面依靠弧光放電產生的瞬時高溫高壓作用，原位生長出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。氧化膜的硬度一般能達到600-1500HV(膜層厚度20-50μm），耐磨性能優于硬質陽極化膜及電鍍硬鉻。在微弧氧化過程中，化學氧化、電化學氧化、等離子體氧化同時存在,因此陶瓷層的形成過程非常復雜，至今還沒有一個合理的模型能完全描述陶瓷層的形成。
溫度對微弧氧化的影響
微弧氧化與陽極氧化不同，所需溫度范圍較寬。一般為10—90度。溫度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。微弧氧化技術微弧氧化工藝將工作區域由普通陽極氧化的法拉第區域引入到高壓放電區域，克服了硬質陽極氧化的缺陷，極大地提高了膜層的綜合性能。且溫度高，會形成水氣。一般建議在20—60度。由于微弧氧化以熱能形式釋放，所以液體溫度上升較快，微弧氧化過程須配備容量較大的熱交換制冷系統以控制槽液溫度。所以微弧氧化過程中一定要控制好溫度。微弧、微弧氧化、微弧氧化技術、微弧氧化電源
微弧氧化技術特點
1、提高材料表面硬度微弧氧化膜層為表面多孔（孔徑為幾微米）、內部致密的陶瓷層。 膜層硬度高（維氏硬度可由幾百至三千左右） 膜層與基體為冶金結合、厚度在幾微米至幾百微米之間。微弧氧化技術、微弧氧化生產線
2、微弧氧化技術絕緣性好耐熱性高，可承受高溫使用，范圍根據基材熔點溫度 有良好的絕緣性能，絕緣電阻膜阻>100MΩ 絕緣耐壓>5000V/秒。微弧氧化電源、微弧氧化生產工藝
